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首页> 外文期刊>Journal of Crystal Growth >In-plane epitaxial relationships between a-plane sapphire substrates and GaN layers grown by different techniques
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In-plane epitaxial relationships between a-plane sapphire substrates and GaN layers grown by different techniques

机译：通过不同技术生长的a面蓝宝石衬底与GaN层之间的面内外延关系

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We have studied GaN films grown on a-plane sapphire substrate by both hydride vapour phase epitaxy (HVPE) and metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) using X-ray diffraction and transmission electron microscopy. The in-plane orientation relationships between the epitaxial films and the substrate are determined to be [1120]_(GaN)‖[0001]_(sapphirc) and [1100]_(GaN)‖[l100]_(sapphire) in the HVPE growth, while [1100]_(GaN)‖[000l]_(sapphire) and [1120]_(GaN)‖[l 100]_(sapphire) are found in the MOVPE growth. In a few films of both types a simultaneous presence of two domains, representing the two in-plane relationships, is observed although the preferable one in each type of films is strongly dominating. We propose that the two in-plane orientations of GaN are generally possible on the a-sapphire substrate and are related to the atom termination of the sapphire surface determined by the substrate pre-treatment used in the different growth methods.
机译：我们使用X射线衍射和透射电子显微镜研究了氢化物气相外延（HVPE）和金属有机气相外延（MOVPE）在a面蓝宝石衬底上生长的GaN膜。确定外延膜与衬底之间的面内取向关系为[1120] _（GaN）” [0001] _（蓝宝石）和[1100] _（GaN）” [100] _（蓝宝石）。 HVPE生长，而MOVPE生长中发现[1100] _（GaN）'[000l] _（蓝宝石）和[1120] _（GaN）'[1100] _（蓝宝石）。在两种类型的少量薄膜中，观察到两个域同时存在，这两个域代表着两种平面内关系，尽管每种类型的薄膜中最好的一种非常占优势。我们提出，GaN的两个面内取向通常在a-蓝宝石衬底上是可能的，并且与通过不同生长方法中使用的衬底预处理确定的蓝宝石表面的原子终止有关。

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