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【24h】

Synthesis of gallium nitride nanowires with uniform [001] growth direction

机译:[001]生长方向均匀的氮化镓纳米线的合成

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摘要

We report synthesis of wurtzite structured gallium nitride nanowires via a chemical vapor deposition of gallium, gallium nitride, and boron oxide mixture under ammonia atmosphere. All nanowires exhibit the same [001] growth direction. The majority of nanowires are extremely thin and long; the diameter is 5-10 nm and the length is 40-50 μm, The larger diameter nanowires exhibit a zigzag configuration with amorphous boron outerlayers. X-ray diffraction and Raman spectroscopy reveal no significant strains inside the nanowires.
机译:我们报告了在氨气氛下通过镓,氮化镓和氧化硼混合物的化学气相沉积法合成纤锌矿型结构的氮化镓纳米线。所有纳米线均显示相同的[001]生长方向。大多数纳米线都非常细而长。直径为5-10 nm,长度为40-50μm。直径较大的纳米线表现出锯齿状结构,并带有无定形的硼外层。 X射线衍射和拉曼光谱显示纳米线内部没有明显的应变。

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