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シリコンを超える省エネルギー・パワーデバイス用半導体材料

机译:超过硅的节能和功率器件的半导体材料

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摘要

21世紀はエネルギーと環境の時代と言われる.特に,今後普及が本格化する分散電源(燃料電池,太陽電池など)やハイブリッド自動車の高効率化,情報通信機器を支えるスイッチング電源や高性能インバータ家電の開発を進めるためには,パワーデバイスの高効率化が不可欠である.長年,パワーデバイスはシリコン(Si)で作製され,電力機器技術の発展に貢献してきた.一方で,微細加工技術の進展によってSiパワーデバイスは成熟期に入り,大幅な性能向上は困難であると言われている.本稿では,次世代パワーデバイス材料として有望視されているシリコンカーバイド(SiC)半導体について概説する.
机译:21世纪被称为能源与环境时代。特别是,为了促进分布式电源(燃料电池,太阳能电池等)的发展,未来将变得越来越流行的混合动力汽车,效率更高的混合动力汽车以及支持信息和通信设备的开关电源和高性能逆变器家用电器,它将是效率至关重要。多年来,功率器件一直由硅(Si)制成,并为功率设备技术的发展做出了贡献。另一方面,据说由于精细加工技术的进步,随着硅功率器件进入成熟阶段,很难显着提高其性能。本文概述了碳化硅(SiC)半导体,这是下一代功率器件的有前途的材料。

著录项

  • 来源
    《日本機械学会誌》 |2007年第1060期|166-167|共2页
  • 作者

    木本 恒暢;

  • 作者单位

    京都大学 大学院工学研究科電子工学専攻(〒615-8510 京都市西京区京都大学桂);

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 机械、仪表工业;
  • 关键词

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