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Heteroepitaxy of distorted rutile-structure WO_2 and NbO_2 thin films

机译：金红石结构扭曲的WO_2和NbO_2薄膜的异质外延

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We present an experimental study on the epitaxy and orientational relationships of WO_2 and NbO_2 films on (0001) Al_2O_3, (111) MgAl_2O_4, and (111) MgO substrates, as well as WO_2 on (111) SrTiO_3. The higher symmetry of the substrate planes compared to the film planes leads to the formation of epitaxial structural variants, and they are related by the surface rotational symmetry elements of the substrates. WO_2 and NbO_2 crystallize in distorted versions of the rutile structure, and we discuss our findings in context of the rutile unit cell. Our results are applicable to other compounds that occur in (distorted) rutile structures. For the case of NbO_2 thin films, we also demonstrate that they can be grown epitaxially on (1012) and (1010) Al_2O_3, lower symmetry surfaces; in these cases, surface symmetry does not induce the formation of epitaxial rotational variants, though domains related by glide symmetry are possible.
机译：我们对（0001）Al_2O_3，（111）MgAl_2O_4和（111）MgO衬底上的WO_2和NbO_2薄膜以及（111）SrTiO_3上的WO_2进行外延和取向关系的实验研究。与膜平面相比，衬底平面的较高对称性导致外延结构变体的形成，并且它们与衬底的表面旋转对称元件有关。 WO_2和NbO_2在金红石结构的变形形式中结晶，我们在金红石晶胞中讨论我们的发现。我们的结果适用于在（扭曲）金红石结构中出现的其他化合物。对于NbO_2薄膜，我们还证明了它们可以在（1012）和（1010）Al_2O_3对称性较低的表面上外延生长。在这些情况下，表面对称性不会诱导外延旋转变体的形成，尽管与滑行对称性相关的域也是可能的。

著录项

  • 来源
    《Journal of Materials Research》 |2013年第18期|2555-2563|共9页
  • 作者

    Franklin J. Wong; Shriram Ramanathan;

  • 作者单位

    School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University, Cambridge, Massachusetts 02138;

    School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University, Cambridge, Massachusetts 02138;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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