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Chemical-mechanical polishing of copper using molybdenum dioxide slurry

机译：使用二氧化钼浆料对铜进行化学机械抛光

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Slurries containing molybdenum oxide abrasives (MoO2, isoelectric point similar to pH 2) with potassium iodate (KIO3) as the oxidizing agent were used to polish copper disks and films, yielding relatively high,removal rates. The relatively high copper removal rates observed were due to the in situ generation of I-2 by the reaction between KIO3 and MoO2. The surface quality of the polished Cu films, however, was very poor with surface roughness values as high as 140 nm. A second polishing step using a dilute colloidal silica suspension containing H2O2, benzotriazole, and glycine at pH 4 improved the post-polish surface quality, final surface having surface roughness values as low as 0.35 nm.
机译：含有以碘酸钾（KIO3）为氧化剂的氧化钼磨料（MoO2，等电点类似于pH 2）的浆料用于抛光铜盘和薄膜，具有较高的去除率。观察到的较高的铜去除速率是由于KIO3和MoO2之间的反应原位生成I-2。然而，抛光的铜膜的表面质量非常差，表面粗糙度值高达140 nm。在第二次抛光步骤中，使用含有pH2的H2O2，苯并三唑和甘氨酸的稀胶体二氧化硅悬浮液，可改善抛光后的表面质量，最终表面的表面粗糙度值可低至0.35 nm。

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