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18~O study of the oxidation of reactively sputtered Ti_1-xAl_xN barrier

机译:反应溅射Ti_1-xAl_xN势垒氧化的18〜O研究

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摘要

The preparation of high-permittivity perovskite materials requires high-temperature (550-750 deg. C) oxidizing environments, providing stringent limitations on the choice of electrode materials. To minimize inerdiffusion and oxidation reactions, an electrically conductive diffusion barrier such as Ti_1-xAl_xN is needed below the electrode material (Pt, IrO_2, RuO_2...).
机译:高介电常数钙钛矿材料的制备需要高温(550-750℃)的氧化环境,这对电极材料的选择提出了严格的限制。为了最小化扩散和氧化反应,在电极材料(Pt,IrO_2,RuO_2 ...)下方需要导电扩散阻挡层,例如Ti_1-xAl_xN。

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