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【24h】

On the band-structure lineup at Ga_2O_3, Gd_2O_3, and Ga_2O_3(Gd_2O_3) heterostructures and Ga_2O_3 Schottky contacts

机译：在Ga_2O_3，Gd_2O_3和Ga_2O_3（Gd_2O_3）异质结构和Ga_2O_3肖特基接触的能带结构上

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The interface-induced gap states (IFIGS) are the fundamental mechanism that determines the band-structure lineup at semiconductor interfaces, i.e., the band-edge offsets at semiconductor heterostructures and the barrier heights of metal-semiconductor or Schottky contacts. Both quantities are composed of a zero-charge transfer and an electrostatic-dipole term which are given by the IFIGS's branch-point energies and the electronegativ-ities of the two solids in contact, respectively. A respective analysis of experimental valence-band offsets of Ga_2O_3 and Gd_2O_3 heterostructures results in the empirical p-type branch-point energies of 3.57 and 2.85 eV, respectively. From experimental barrier heights of n-Ga_2O_3 Schottky contacts an empirical n-type branch-point energy of 1.34 eV is obtained. The p- and n-type branch point energies of Ga_2O_3 add up to 4.91 eV, the width of the Ga_2O_3 band gap, as to be expected from the theoretical IFIGS-and-electronegativity concept. The experimental valence-band offsets of Ga_2O_3(Gd_2O_3) heterostructures indicate that at their interfaces the chemical composition of the oxide differs from its nominal value in the bulk.
机译：界面引起的间隙状态（IFIGS）是确定半导体界面处的能带结构排列的基本机制，即半导体异质结构处的能带边缘偏移以及金属半导体或肖特基接触的势垒高度。这两个量都由零电荷转移和静电偶极子项组成，分别由IFIGS的支化点能量和接触的两种固体的电负性给出。对Ga_2O_3和Gd_2O_3异质结构的实验价带偏移进行的相应分析分别得出经验p型支化点能量分别为3.57和2.85 eV。从n-Ga_2O_3肖特基接触的实验势垒高度，获得了1.34 eV的经验n型分支点能量。 Ga_2O_3的p型和n型分支点能量总计为4.91 eV，即Ga_2O_3带隙的宽度，这是理论上的IFIGS和电负性概念所期望的。 Ga_2O_3（Gd_2O_3）异质结构的实验价带偏移表明，在其界面处，氧化物的化学组成与其本体的标称值不同。

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  • 来源
    《Journal of materials science》 |2016年第2期|1444-1448|共5页
  • 作者

    Winfried Moench;

  • 作者单位

    Faculty of Physics, Universitat Duisburg-Essen, 47048 Duisburg, Germany;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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