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Disorder and localization in bandtail hopping transport: experiments and concepts

机译：尾纤跳运中的无序和局部化：实验和概念

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This review describes the main transport experiments (including Ohmic and nonlinear transport in both dc and ac regimes) and related concepts which can be used to derive quantitative information on the localized electronic states above the Fermi level and in the bandtails, in low carrier mobility materials governed by hopping conductivity. For bandtail hopping, a model based on the filling rate of electronic states near the preferred transport path shows a sharp decrease of the hopping mobility with increasing bandtail disorder. While the slope T-0(1/4), derived from ln sigma vs T-1/4 plots, is weakly sensitive to the shape of the DOS distribution, the prefactor sigma(circle circle) values are extremely sensitive to bandtail disorder; uniform and exponential distributions can be discriminated experimentally (sigma(circle circle) 10(2) S.cm(-1) for bandtail hopping).
机译：这篇综述描述了主要的输运实验（包括直流和交流状态下的欧姆输运和非线性输运）及相关概念，可用于得出低载流子迁移率材料中费米能级以上和带状中局部电子态的定量信息。由跳跃电导率控制。对于带尾跳跃，基于在优选传输路径附近的电子态的填充率的模型显示，随着带尾紊乱的增加，跳跃迁移率急剧降低。从ln sigma与T-1 / 4曲线得出的斜率T-0（1/4）对DOS分布的形状较弱，而因子sigma（圆）的值对带尾无序非常敏感。可以通过实验区分均匀分布和指数分布（带状跳频的sigma（圆） 10（2）S.cm（-1））。

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