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首页> 外文期刊>Journal of porous materials >Self-consistent Recombination scheme in Porous Silicon Under Intense Laser Excitation
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Self-consistent Recombination scheme in Porous Silicon Under Intense Laser Excitation

机译：强激光激发下多孔硅中的自洽重组方案

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An experimental investigation ofthe general characteristics of nonradiative and radiative recombination of charge carriers in strongly excited porous silicon is presented. It is shown that photoconductivity, photomagneto-electric effect, quantum yield, and intensity of visible radiation of porous silicon demonstrates strong nonlinearities against laser excitation intensity. It is suggested that the band-to-band Auger recombination is dominant simi-lar tothat in crystalline siliconm, whereas the visible luminescence is determinedby the bimolecular process. The nonequilibrium density of charge carriers Δ_n10~19cm~-3,and the bimolecular radiative recombination coefficient Brad≤9×10~-4cm~3/s have been found.
机译：提出了对强激发多孔硅中载流子的非辐射和辐射复合一般特性的实验研究。结果表明，多孔硅的光电导率，光磁电效应，量子产率和可见光强度对激光激发强度表现出很强的非线性。有人认为，能带间的俄歇重组与晶体硅中的类似，而可见光的发光是由双分子过程决定的。发现载流子的非平衡密度为Δ_n10〜19cm〜-3，双分子辐射复合系数Brad≤9×10〜-4cm〜3 / s。

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