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多孔硅量子点的受激辐射:陷阱态的作用

         

摘要

经激光辐照和高温退火后能够在硅基上生成氧化多孔硅结构.用514 nm的激光泵浦,观测到该多孔硅的受激辐射.当激励强度超过阈值时,在650~750 nm区域有很强的受激发光峰.这些受激发光峰的半高宽小于0.5 nm.激光辐照和高温退火后,在样品上能形成某些特殊的氧化结构.在傅里叶红外光谱分析中,显示有硅氧双键或硅氧桥键在硅表面形成.计算结果表明:当硅氧双键或硅氧桥键形成时,电子的陷阱态出现在纳晶硅的带隙中.价带顶和陷阱态之间的粒子数反转是解释这种受激辐射的关键.

著录项

  • 来源
    《强激光与粒子束》 |2009年第8期|1161-1164|共4页
  • 作者单位

    贵州大学,贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵阳,550025;

    贵州大学,贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵阳,550025;

    中国科学院,地球化学研究所,贵阳,550003;

    中国科学院,地球化学研究所,贵阳,550003;

    贵州大学,贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵阳,550025;

    贵州大学,贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵阳,550025;

    贵州大学,贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵阳,550025;

    贵州大学,贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵阳,550025;

    贵州大学,贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵阳,550025;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 激光的应用;
  • 关键词

    受激辐射; 多孔硅; 量子点; 陷阱态;

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