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Correlation of Photoluminescence and Optical Absorption Spectra of Porous Silicon

机译：多孔硅的光致发光与光吸收光谱的相关性

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Using quantum confinement based-PL model, PS eas modelled as a mixture of quantum Dots (QDs) and Quantum Wires (QWs) having different concentrations adn sizes. It was shown that in the optical absorption edge the PL peak energy and the Optical Absorption (OA) exhibit the same trend, depending on preparation conditions. The spectral behaviours of PL and OA are analysed and correlated throughout the shapes and the size distribution of the nancocrystallites forming PS. Using the quantum confinement formalism, the value of the effective band-gap energy determined from the lowest PL energy almost corresponds to that estimated from the optical absorption coefficient. These resuits suggest that the lowest radiative transition between the valence band and the conduction band corresponds to the largest luminescent wires, and that the radiative recombination process leading to the PL emission occurs inthe c-Si crystallite core.
机译：使用基于量子限制的PL模型，将PS eas建模为具有不同浓度和大小的量子点（QD）和量子线（QW）的混合物。结果表明，在光吸收边缘，PL峰值能量和光吸收（OA）呈现相同的趋势，具体取决于制备条件。分析了PL和OA的光谱行为，并在形成PS的纳米微晶的形状和尺寸分布中进行了关联。使用量子限制形式，由最低的PL能量确定的有效带隙能量的值几乎对应于由光吸收系数估计的值。这些结果表明，价带和导带之间的最低辐射跃迁对应于最大的发光线，并且导致PL发射的辐射复合过程发生在c-Si微晶核中。

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