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首页> 外文期刊>Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures >Study of overlay metrology in atomic force microscope lithography (overlaying lithography with atomic force microscope)
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Study of overlay metrology in atomic force microscope lithography (overlaying lithography with atomic force microscope)

机译：原子力显微镜光刻中的叠加计量学研究（原子力显微镜叠加光刻）

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Atomic force microscope (AFM) has been considered as a useful lithographic tool of the future nanofabrication. In this article, overlay metrology in AFM lithography was investigated. A method of overlay metrology with cross marks was designed and applied to write two-layer patterns. The alignment arithmetic was developed on the basis of mark-registration method of electron beam lithography. A set of vernier was designed to measure the overlay precision. Further analysis about the overlay errors was presented. Experimental results indicated that the overlay metrology can obtain overlay precision less than 30 nm and a higher precision will be realized by improving the system. (c) 2006 American Vacuum Society.
机译：原子力显微镜（AFM）被认为是未来纳米加工的有用光刻工具。在本文中，对AFM光刻中的叠加计量进行了研究。设计了一种带有十字标记的叠加计量方法，并将其应用于编写两层图案。在电子束光刻的标记配准方法的基础上，开发了对准算法。设计了一套游标以测量覆盖精度。提出了关于覆盖误差的进一步分析。实验结果表明，该覆盖计量技术可以获得小于30 nm的覆盖精度，并且通过改进该系统可以实现更高的精度。 （c）2006年美国真空学会。

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