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首页> 外文期刊>Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures >Presence of nanosize Au dots on the formation of ohmic contact for the Ni-Au base film to p-GaN
【24h】

Presence of nanosize Au dots on the formation of ohmic contact for the Ni-Au base film to p-GaN

机译：Ni-Au基膜与p-GaN的欧姆接触形成时纳米级Au点的存在

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The role of nanosize Au dots in the contact characteristic of Au/Ni/NiO stacked films to p-type GaN is studied. The nanosize Au dots were fabricated by heating a 1-nm-thick Au film at 150℃ in nitrogen ambient for 6 min. The NiO(2 nm), Ni(2 nm), and Au(2 nm) films were deposited sequentially on p-GaN, without or with the preformed Au dots. Without the nanosize Au dots, the Au/Ni/NiO/P-GaN structure shows nonlinear current-voltage (Ⅰ-Ⅴ) curves, even after annealing at 400℃. On the contrary, the Au/Ni/NiO/dot-Au/P-GaN structure exhibits linear Ⅰ-Ⅴ curves of ohmic behavior after annealing at 400℃ in oxygen ambient. The nanosize Au dots indirect contact with p-GaN imitate the microstructure of Au islands in the annealed Au-Ni system and they create a microstructure of the Au—NiO-GaN triple-phase junction. The mechanism for the formation of contact via annealing and the presence of triple-phase junction are discussed.
机译：研究了纳米金点在Au / Ni / NiO叠层膜与p型GaN接触特性中的作用。通过在氮气环境中在150℃下加热1nm厚的Au膜6分钟来制备纳米级Au点。 NiO（2 nm），Ni（2 nm）和Au（2 nm）膜顺序沉积在p-GaN上，既不带有也没有带有预先形成的Au点。没有纳米级的Au点，即使在400℃退火后，Au / Ni / NiO / P-GaN结构也显示出非线性的电流-电压（Ⅰ-Ⅴ）曲线。相反，Au / Ni / NiO / dot-Au / P-GaN结构在氧气环境中于400℃退火后呈现线性Ⅰ-Ⅴ欧姆行为。与p-GaN间接接触的纳米级Au点模仿了退火的Au-Ni系统中的Au岛的微观结构，并创建了Au-NiO-GaN三相结的微观结构。讨论了通过退火形成接触的机理以及三相结的存在。

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