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首页> 外文期刊>Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures >InGaP/GaAs/InGaP composite collector double heterojunction bipolar transistor with high breakdown, low offset, and knee voltage
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InGaP/GaAs/InGaP composite collector double heterojunction bipolar transistor with high breakdown, low offset, and knee voltage

机译：具有高击穿，低失调和拐点电压的InGaP / GaAs / InGaP复合集电极双异质结双极晶体管

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A InGaP/GaAs/InGaP composite collector double heterojunction bipolar transistor (DHBT) has been designed and fabricated to combine the advantages of single heterojunction bipolar transistor (SHBT) and conventional DHBT. The device has low collector-emitter offset voltage (～60 mV) and knee voltage (<1 V). The breakdown voltage of ～14 V is as high as that of a conventional DHBT. Comparison was made with a GaAs homojunction bipolar transistor and InGaP/GaAs SHBT. Both homojunction transistor and composite collector DHBT show similar collector-emitter offset voltage dominated by the geometrical factor. The knee voltage of the composite collector DHBT is ～0.15 V lower than that of the InGaP/GaAs SHBT. The results demonstrate the potential of composite collector DHBTs for practical power amplifier applications.
机译：设计并制造了InGaP / GaAs / InGaP复合集电极双异质结双极晶体管（DHBT），以结合单异质结双极晶体管（SHBT）和常规DHBT的优点。该器件具有低的集电极-发射极失调电压（〜60 mV）和拐点电压（<1 V）。 〜14 V的击穿电压与常规DHBT一样高。用GaAs同质结双极晶体管和InGaP / GaAs SHBT进行了比较。同质结晶体管和复合集电极DHBT都显示出类似的集电极-发射极偏置电压，该偏置电压受几何因素支配。复合集电极DHBT的拐点电压比InGaP / GaAs SHBT的拐点电压低约0.15V。结果证明了复合集电极DHBT在实际功率放大器应用中的潜力。

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