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首页> 外文期刊>Journal of Vacuum Science & Technology >Patterning of silicon nitride for CMOS gate spacer technology. I. Mechanisms involved in the silicon consumption in CH3F/O2/He high density plasmas
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Patterning of silicon nitride for CMOS gate spacer technology. I. Mechanisms involved in the silicon consumption in CH3F/O2/He high density plasmas

机译：用于CMOS栅极垫片技术的氮化硅图案化。一，CH3F / O2 / He高密度等离子体中硅消耗的机理

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A loss of silicon in active source/drain regions of CMOS transistors can be observed during nitride spacer etch processes, employing CH3F/O2/He based chemistries in high density plasmas. This phenomenon, the so-called “silicon recess”, is a key criterion for the subsequent steps involved in the transistor fabrication process. In this work, the authors compare two CH3F/O2/He spacer etch processes typically used in industry. The mechanism for high Si3N4/Si selectivity is identified as the creation of a SiOxFy passivation layer, generated at the silicon surface. Using in situ ellipsometry and angle resolved x-ray photoelectron spectroscopy, the authors demonstrate that the oxidized layer which leads to silicon recess is driven by the ion energy. Moreover, in the case of high ion energy processes, implanted carbon has been identified under the SiOxFy passivation layer.
机译：在氮化物间隔层蚀刻工艺中，采用基于CH 3 F / O 2 / He的化学物质进行高密度氮化物刻蚀过程中，可以观察到CMOS晶体管的有源源/漏区中的硅损耗等离子。这种现象，即所谓的“硅凹陷”，是晶体管制造过程中涉及的后续步骤的关键标准。在这项工作中，作者比较了两种通常在工业上使用的CH 3 F / O 2 / He间隔物蚀刻工艺。高Si 3 N 4 / Si选择性的机理被确定为SiO x F y 的产生钝化层，在硅表面生成。作者使用原位椭圆光度法和角度分辨X射线光电子能谱，证明了导致硅凹陷的氧化层是由离子能量驱动的。此外，在高离子能工艺的情况下，已在SiO x F y 钝化层下确定了注入的碳。

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