机译:前驱体化学性质和生长温度对原子层沉积生长的SrTiO_3基金属-绝缘体-金属电容器的电性能的影响
Departamento de Electricidad y Electrdnica, E.T.S.I. Telecomunicacion, University of Valladolid, 47011 Valladolid, Spain;
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Department of Chemistry, University of Helsinki, P.O. Box 55, FIN-00014 Helsinki, Finland;
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机译:通过在TiN衬底上进行热绝缘和基于O_3的原子层沉积而生长的Ta_2O_5的生长特性和电特性
机译:成分对使用TiN底部电极通过原子层沉积制备的Sr_xTi_(1-x)O_y基金属-绝缘体-金属电容器的物理和电性能的影响
机译:生长温度和前驱剂量对原子层沉积技术生长的Zno薄膜电学参数的影响
机译:底物温度和GA源前体对空心阴极等离子体辅助原子层沉积生长和材料性能的影响
机译:通过原子层沉积生长的纳米级氧化锆和氧化f电介质:结晶度,界面结构和电性能。
机译:生长温度对使用CpZr N(CH3)2 3 / C7H8鸡尾酒前体原子层沉积制备的ZrO2薄膜的结构和电性能的影响
机译:使用CPZR N(CH3)2 3 / C7H8鸡尾酒前体采用CPZR N(CH3)2 3 / C7H8沉积物制造的ZrO2膜结构和电性能的影响