...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures >P implantation into preamorphized germanium and subsequent annealing: Solid phase epitaxial regrowth, P diffusion, and activation
【24h】

P implantation into preamorphized germanium and subsequent annealing: Solid phase epitaxial regrowth, P diffusion, and activation

机译：将P注入预非晶化的锗中并随后进行退火：固相外延再生，P扩散和活化

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Phosphorus implantation (30 keV, 3 × 10~(15) cm~(-2)) into preamorphized Ge and subsequent rapid thermal or flash lamp annealing is investigated. During annealing a significant P diffusion in amorphous Ge is not observed. However, the fast solid phase epitaxial regrowth causes a rapid redistribution of P. After completion of the regrowth and at temperatures above 500 ℃, a concentration-dependent diffusion of P in crystalline Ge takes place and leads to considerable loss of P toward the surface. An appreciable influence of implantation defects on the diffusion coefficient of P is not detected. For 60 s rapid thermal annealing at 600 ℃ and for 20 ms flash lamp annealing at 900 ℃, the junction depth and the sheet resistance vary between 140 and 200 nm and between 50 and 100 Ω, respectively, and the maximum electrical activation of P is about 3-7 × 10~(19) cm~(-3).
机译：研究了向预先非晶化的Ge中注入磷（30 keV，3×10〜（15）cm〜（-2））以及随后快速热退火或闪光灯退火的方法。在退火过程中，未观察到明显的P扩散到非晶Ge中。然而，快速固相外延再生会导致P快速重新分布。再生完成后，在高于500℃的温度下，P在晶体Ge中的浓度依赖性扩散发生，并导致P向表面的大量损失。没有检测到注入缺陷对P的扩散系数的明显影响。对于600℃的60 s快速热退火和900℃的20 ms闪光灯退火，结深度和薄层电阻分别在140和200 nm之间以及在50和100Ω之间变化，并且P的最大电活化为大约3-7×10〜（19）cm〜（-3）

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号