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B clustering in amorphous Si

机译：非晶硅中的B团簇

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The authors have investigated ultrashallow p~+-junction formation by solid-phase epitaxy, by using x-ray absorption near-edge spectroscopy (XANES) measurements at the B K edge. The authors demonstrate that B clustering occurs during the very early stages of annealing-induced Si recrystallization, i.e., when B is still in the amorphous matrix. After complete regrowth, the local structure around B remains the same as in the amorphous phase, implying that B clusters are transferred to the crystalline structure. The XANES structure are assigned to B-B sp~2 bonds that are present in B clusters with two or more B atoms. Boron clustering and diffusion are further investigated by means of concentration profile analysis of ad hoc amorphous on insulator structures that evidences a clear concentration threshold for clustering and a concentration dependent B diffusion.
机译：作者通过在B K边缘使用X射线吸收近边缘光谱（XANES）测量研究了固相外延形成的超浅p〜+ / n结。这组作者证明了B团簇发生在退火引起的Si重结晶的早期，即当B仍在非晶基体中时。完全再生长后，B周围的局部结构与无定形相相同，这意味着B团簇转移至晶体结构。 XANES结构分配给存在于具有两个或多个B原子的B簇中的B-B sp〜2键。通过绝缘子结构上无定形非晶的浓度分布分析进一步研究了硼的聚集和扩散，这证明了清晰的聚集浓度阈值和与浓度有关的B扩散。

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