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【24h】

Phase transition in Pb(Mn_(1/4)Cd_(1/4)W_(1/2))O_3 ceramics

机译：Pb（Mn_（1/4）Cd_（1/4）W_（1/2））O_3陶瓷中的相变

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The polycrystalline samples of Pb(Mn_(1/4)Cd_(1/4)W_(1/2))O_3 were synthesized by a high-temperature solid-state reaction technique. A preliminary X-ray structural study of the compound at room temperature shows the formation of a single-phase compound with a non-centrosymmetric space group P222_1 of orthorhombic structure. Studies of dielectric constant (ε) and loss tangent (tan δ) both as a function of frequency (10~3―10~4 Hz) and temperature (20―350 ℃) suggest that the compound undergoes a phase transition at 250 ℃ and has a very high value of dielectric constant ～30,000 at transition temperature. Both ac and dc conductivity have been studied over a wide range of temperature. The activation energy (E_a) of the compound was calculated from both the plot of ac and dc conductivity versus inverse of absolute temperature. Variation of dc resistivity with electric field (0.55-53 kV m~(―1)) at room temperature and variation of dc resistivity (10~6―10~3 Ωm) with temperature (26―350 ℃) at a constant electric field of 11.2kVm~(―1) showed the semiconductor characteristics of the material.
机译：通过高温固相反应技术合成了Pb（Mn_（1/4）Cd_（1/4）W_（1/2）O_3的多晶样品。化合物在室温下的初步X射线结构研究表明，形成了具有正交晶结构的非中心对称空间基团P222_1的单相化合物。介电常数（ε）和损耗角正切（tanδ）与频率（10〜3〜10〜4 Hz）和温度（20〜350℃）的关系的研究表明，该化合物在250℃时发生相变，并且在转变温度下具有很高的介电常数〜30,000的值。交流和直流电导率均已在很宽的温度范围内进行了研究。根据交流电和直流电导率与绝对温度的倒数的关系图计算出化合物的活化能（E_a）。室温下直流电阻率随电场（0.55-53 kV m〜（-1））的变化以及恒定温度下直流电阻率随温度（26〜350℃）的变化（10〜6〜10〜3Ωm） 11.2kVm〜（-1）的材料显示了该材料的半导体特性。

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