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RBS-C and ellipsometric investigations of radiation damage in hot-implanted GaAs layers

机译：RBS-C和椭圆光度法研究热注入GaAs层中的辐射损伤

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摘要

Semi-insulating (100) GaAs single crystalline substrates have been doubly Al~+-implanted using ion beams of the 250keV energy and the fluence F=3.5×10~(16)cm~(-2), and 100keV with F=9.6×10~(15)cm~(-2) at six target temperatures ranging from 250 to 500℃. The radiation damage introduced by such "hot implantation" was subsequently investigated by Rutherford Backscattering Spectrometry with Channeling (RBS-C) and Variable Angle Spectroscopic Ellipsometry (VASE) techniques. Using these experimental methods we determined a degree of lattice disorder. With the increasing implantation temperature the degree of disorder substantially decreases. No evidence of full amorphization of the implanted GaAs layers has been found in the present studies. The results of non-destructive ellipsometric characterization are in good agreement with the RBS-C investigations.
机译：使用250keV能量和通量F = 3.5×10〜（16）cm〜（-2）和100keV，F = 9.6的离子束，对Al- +半绝缘（100）GaAs单晶衬底进行了双重注入。在250至500℃的六个目标温度下为×10〜（15）cm〜（-2）。随后，通过带通道的卢瑟福背散射光谱（RBS-C）和可变角度光谱椭圆仪（VASE）技术研究了这种“热注入”所引起的辐射损伤。使用这些实验方法，我们确定了晶格无序度。随着植入温度的升高，无序度大大降低。在目前的研究中，没有发现注入的砷化镓层完全非晶化的证据。非破坏性椭圆仪表征的结果与RBS-C研究非常吻合。

著录项

  • 来源
    《Materials Science and Engineering》 |2011年第4期|p.340-343|共4页
  • 作者

    M. Kulik; J. Zuk; A. Drozdziel; K. Pyszniak; F.F. Komarov; W. Rzodkiewicz;

  • 作者单位

    Institute of Physics, Maria Curie-Sklodowska University. Pl. M. C. Sklodowskiej 1,20-031 Lublin, Poland;

    Institute of Physics, Maria Curie-Sklodowska University. Pl. M. C. Sklodowskiej 1,20-031 Lublin, Poland;

    Institute of Physics, Maria Curie-Sklodowska University. Pl. M. C. Sklodowskiej 1,20-031 Lublin, Poland;

    Institute of Physics, Maria Curie-Sklodowska University. Pl. M. C. Sklodowskiej 1,20-031 Lublin, Poland;

    Belarusian State University, 4 Nezavisimosti Ave, 220030 Minsk, Belarus;

    Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46,02-668 Warszawa, Poland;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    gallium arsenide; ion implantation; variable angle spectroscopic ellipsometry; RBS/C;

    机译：砷化镓离子注入变角光谱椭圆仪;RBS / C;

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