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首页> 外文期刊>Materials Science and Engineering. B, Solid-State Materials for Advanced Technology >Improvements of AlGaN/GaN p-i-n UV sensors with graded AlGaN layer for the UV-B (280-320 nm) detection
【24h】

Improvements of AlGaN/GaN p-i-n UV sensors with graded AlGaN layer for the UV-B (280-320 nm) detection

机译：具有渐变AlGaN层的AlGaN / GaN p-i-n UV传感器的改进，用于UV-B（280-320 nm）检测

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Al_xGa_(1-x)N/GaN p-i-n UV sensors grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) were fabricated for the UV-B (280-320 nm) detection. With a proper structure design by including a thin top p-layer and a graded Al_xGa_(1-x)N (x = 0.26 → 0.13) layer, the etching pit density (EPD) and the specific contact resistance of top p-layer can be significantly decreased. Device dark current density decreased from 3.5 x 10~(-7) to 2.49 x 10~(-11) A/cm~2 at —3V and the spectrum responsivity at 310 nm UV-B range is 0.04 A/W, which is much better than traditional AlGaN-based devices without graded layer design.
机译：制作了通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的Al_xGa_（1-x）N / GaN p-i-n UV传感器用于UV-B（280-320 nm）检测。通过适当的结构设计，包括一个薄的顶层p层和一个渐变的Al_xGa_（1-x）N（x = 0.26→0.13）层，顶层p层的刻蚀坑密度（EPD）和比接触电阻可以被大大减少。器件暗电流密度在-3V时从3.5 x 10〜（-7）降至2.49 x 10〜（-11）A / cm〜2，并且在310 nm UV-B范围内的光谱响应率为0.04 A / W，这是比没有渐变层设计的传统基于AlGaN的器件好得多。

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