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首页> 外文期刊>Materials Science and Engineering. B, Solid-State Materials for Advanced Technology >Studies of the anion position parameter chi of the ternary semiconductor CuGaS_2 by use of Ni~+ ion probe
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Studies of the anion position parameter chi of the ternary semiconductor CuGaS_2 by use of Ni~+ ion probe

机译：Ni〜+离子探针研究三元半导体CuGaS_2的阴离子位置参数chi

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The anion position parameter chi of NiS_4 cluster formed in the ternary semiconductor CuGaS_2 by substitution of Ni~+ for Cu~+ has been determined by studying the optical spectra and EPR data for CuGaS_2; Ni~+. The result (chi approx= 0.263(1)) is consistent with the mean value of the X-ray measurement results reported in two groups of references and also with the calculated value obtained from the conservation of tetrahedral bonds (CTB) plus eta = eta_(tet) rule (where eta = c/2a). So, we suggest that the anion position parameter chi in pure CuGaS_2 crystal is close to the above value obtained by use of Ni~+ ion probe. The optical absorption bands and g factors g_(||), g_(perpendicular), of CuGaS_2; Ni~+ are therefore explained reasonably from the anion position parameter.
机译：通过研究CuGaS_2的光谱和EPR数据，确定了用Ni〜+代替Cu〜+形成的三元半导体CuGaS_2中NiS_4团簇的阴离子位置参数chi；镍〜+结果（chi大约= 0.263（1））与两组参考文献中报告的X射线测量结果的平均值一致，并且与从四面体键（CTB）的保留值加上eta = eta_所得的计算值一致。 （tet）规则（其中eta = c / 2a）。因此，我们认为纯CuGaS_2晶体中的阴离子位置参数chi接近于使用Ni〜+离子探针获得的上述值。 CuGaS_2的光吸收带和g因子g_（||），g_（垂直）；因此从阴离子位置参数合理地解释了Ni〜+。

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