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机译:氮化物侧壁间隔物工艺对超浅结形成中硼剂量损失影响的基本特征
Silicon Technology Development, Texas Instruments, Dallas, TX 75243, USA;
nitride sidewall spacer process; tetraethoxysilane; complementary metal oxide semiconductor; ultra shallow junction formation;
机译:氮化物侧壁隔离层工艺对超浅结形成中硼剂量损失的影响
机译:建模互补金属氧化物半导体晶体管侧壁隔离层中的硼剂量损失
机译:氧化物和氮化物CMOS侧墙中硼的向外扩散机理:对材料性能的影响
机译:模拟源极/漏极侧壁隔离层工艺对硼超浅结的影响
机译:低电阻超浅结形成的新方法。
机译:金刚石硼氮化物:压力诱导的2D金刚石氮化物的形成和力学性能(ADV。SCI。2/2021)
机译:用于超浅结形成的CVD Delta掺杂硼表面层