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首页> 外文期刊>Materials Science and Engineering. B, Solid-State Materials for Advanced Technology >Diffusion models of BF_2~+ and B~+ implanted at low-energy in crystalline silicon
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Diffusion models of BF_2~+ and B~+ implanted at low-energy in crystalline silicon

机译：在晶体中低能注入的BF_2〜+和B〜+的扩散模型

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We have investigated and modelled the diffusion of boron implanted into crystalline silicon in the form of boron difluoride BF_2~+. Low-energy BF_2~+ (2 keV) and dose of 1 x 10~(15) cm~(-2) have been used. Diffusion profiles have been measured using secondary ion mass spectrometry (SIMS). RTA were carried out at 950, 1000, 1050 and 1100℃. The results show that concentration profiles for BF_2~+ implant are slighty shallower than those for a direct B~+ ion implantation. This could be attributed to the presence of fluorine, which can trap interstitial silicon so that Si supersaturation is low near the surface. Following Uematsu's works, the simulations satisfactory reproduce the SIMS experimental profiles.
机译：我们已经研究并模拟了以二氟化硼BF_2〜+形式注入到晶体硅中的硼的扩散。使用了低能量的BF_2〜+（2 keV）和1 x 10〜（15）cm〜（-2）的剂量。扩散曲线已使用二次离子质谱（SIMS）进行了测量。 RTA分别在950、1000、1050和1100℃下进行。结果表明，BF_2〜+注入的浓度曲线比直接B〜+离子注入的浓度曲线略浅。这可能归因于氟的存在，氟可以捕获间隙硅，因此表面附近的Si过饱和度低。继植松的工作之后，模拟结果令人满意地再现了SIMS的实验概况。

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