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离子注入硅在砷化镓中的扩散模型

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摘要

介绍了硅在砷化镓扩散的几种模型。对高剂量离子注入情况，提出了自己的模型，并对硅扩散行为进行了模拟。

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来源
《半导体杂志》 |1996年第4期|24-27|共4页
作者
孙继忠; 罗永祥;
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作者单位

大连理工大学物理系;

香港理工大学应用物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN304.23;
关键词
离子注入; 扩散; 空位机制; 砷化镓;

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