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Non-contact mobility measurements of graphene on silicon carbide

机译：碳化硅上石墨烯的非接触迁移率测量

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Non-invasive measurement techniques are of utmost importance for characterization of atomically thin materials to speed up the measurement process while avoiding mechanical damage or contamination of the fragile materials. Terahertz time-domain spectroscopy (THz-TDS) provides non-contact measurement of the frequency dependent conductivity of thin films. Here, we expand the applicability of THz-TDS by spatially mapping the carrier density and mobility of epitaxial graphene grown on silicon carbide. The extracted values are compared to Hall measurements and agrees well for homogeneously conducting samples.
机译：非侵入性测量技术对于表征原子薄材料以加快测量过程，同时避免机械损坏或易碎材料的污染至关重要。太赫兹时域光谱（THz-TDS）提供了非接触式测量频率随电导率变化的薄膜的方法。在这里，我们通过在空间上绘制生长在碳化硅上的外延石墨烯的载流子密度和迁移率来扩展THz-TDS的适用性。将提取的值与霍尔测量值进行比较，并且对于均匀地进行采样非常吻合。

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