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ALD grown NbTaO_x based MIM capacitors

机译：ALD生长的基于NbTaO_x的MIM电容器

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摘要

NbTaO_x mixed oxides were deposited by ALD in ASM Pulsar® 20X10 R&D reactor using TaF_5 and NbF_5 as metal precursors. Two deposition processes were evaluated, one with only H_2O as the oxidizer, and the other with a combination of H_20 and O_3. The depositions where done at 225 °C on Si (200 mm, p-type (100) with native oxide). Ru(AVD), TiN(ALD) and TaN(PVD) bottom electrodes. After the dielectric depositions, N_2 PDA's were applied on the samples and finally Au dot (e-beam evaporation with shadow mask) top electrodes were deposited for electrical characterization. Best electrical results (bottom electrode injection) achieved for the different stacks with ~45nm thick NbTaO_x films were: Ru(AVD) k-17, 9×10~(-11)A/cm~2@3V,TiN(ALD)k-39, 2 ×10~2A/cm~2 @ 3 V, TaN(PVD) k-44, 7 x 10~(-4)A/cm~2 @3V.
机译：通过ALD将TaF_5和NbF_5作为金属前驱物，在ASMPulsar®20X10 R＆D反应器中沉积NbTaO_x混合氧化物。评价了两种沉积工艺，一种仅使用H_2O作为氧化剂，另一种使用H_20和O_3的组合。在225°C的Si（200 mm，p型（100）与天然氧化物）上完成沉积。 Ru（AVD），TiN（ALD）和TaN（PVD）底部电极。在电介质沉积之后，将N_2 PDA涂覆到样品上，最后沉积Au点（带荫罩的电子束蒸发）顶部电极进行电学表征。对于具有〜45nm厚NbTaO_x膜的不同堆叠，最佳电学结果（底部电极注入）为：Ru（AVD）k-17、9×10〜（-11）A / cm〜2 @ 3V，TiN（ALD）k -39，2×10〜2A / cm〜2 @ 3 V，TaN（PVD）k-44，7 x 10〜（-4）A / cm〜2 @ 3V。

著录项

  • 来源
    《Microelectronic Engineering》 |2011年第8期|p.2447-2451|共5页
  • 作者

    T. Blomberg; Ch. Wenger; C. Baristiran Kaynak; G. Ruhl; P. Baumann;

  • 作者单位

    ASM Microchemistry Ltd.. VSinS Auerin katu 12A, Helsinki 00560. Finland;

    IHP. Im Technologiepark 25, Frankfurt 15236, Germany;

    IHP. Im Technologiepark 25, Frankfurt 15236, Germany;

    Infineon Technologies AC, Wernerwerkstr. 2, Regensburg 93049. Germany;

    AKIKONAG. Kaiserstr. 98, Herzogenrath 52134. Germany;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    mim capacitor; high-k dielectric; nbtao_x;

    机译：mim电容器;高k电介质;nbtao_x;

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