...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Microelectronic Engineering >Nanocomposite resist systems for next generation lithography
【24h】

Nanocomposite resist systems for next generation lithography

机译：用于下一代光刻的纳米复合抗蚀剂系统

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

A novel nanocomposite resist system was developed for sub-100 nm resolution e-beam lithography by dispersing surface-treated silica nanoparticles in a commercial ZEP520 resist. At 4.0 wt./100 loading of silica nanoparticles, the system exhibited a much higher resolution than ZEP520 without sacrificing the intrinsic sensitivity and contrast of the starting polymer. The first major result is that 46 nm-wide isolated lines were obtained in the nanocomposite system (～250 nm-thick layer), whereas comparatively 130 nm-wide lines were obtained in ZEP520 under the same experimental conditions.
机译：通过将表面处理的二氧化硅纳米粒子分散在商用ZEP520光刻胶中，开发了一种用于100纳米以下分辨率电子束光刻的新型纳米复合光刻胶系统。当二氧化硅纳米粒子的负载量为4.0 wt./100时，该系统显示出比ZEP520高得多的分辨率，而不会牺牲起始聚合物的固有灵敏度和对比度。第一个主要结果是在相同的实验条件下，在纳米复合材料系统（约250 nm厚的层）中获得了46 nm宽的分离线，而在ZEP520中获得了130 nm宽的分离线。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号