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Daisuke Kawana; Kazufumi Sato; Sanlin Hu; J.K. Lee; Eric S. Moyer;
Tokyo Ohka Kogyo Co. Ltd.;
Dow Corning Corp.;
机译:低于65 nm光刻的双层抗蚀剂
机译:用于纳米机电系统原型的抗蚀剂双层上的激光光刻
机译:用于亚70nm纳米结构的新型纳米压印光刻硫醇-ee抗蚀剂
机译:基于聚硅亚苯基硅氧烷和聚苯胺的导电双层抗蚀剂体系用于纳米光刻
机译:嵌段共聚物在压缩二氧化碳中的相行为以及作为单畴层纳米光刻抗蚀剂的亚10纳米图案转移
机译:纳米拉丝光刻技术对支持的双层膜进行亚100纳米图案化
机译:使用Silsesquoxane进行化学扩增的Si抗蚀剂,用于ARF光刻(休闲)及其在双层抗蚀剂过程中的应用。
机译:湿法开发的双层抗蚀剂,用于193纳米准分子激光光刻
机译:使用包含光敏聚倍半硅氧烷的双层抗蚀剂组合物通过光刻法形成亚半微米图案的方法
机译:成膜材料,用于光刻的成膜组合物,光学部件形成材料,抗蚀剂组合物,抗蚀剂图案形成方法,用于抗蚀剂的永久膜,辐射敏感性组合物,非晶膜的制造方法,用于光刻的下层膜形成材料,用于光刻的下层成膜组合物,用于光刻的下层膜的制造方法和电路图案形成方法
机译:用于形成膜的组合物,抗蚀剂组合物,辐射敏感组合物,无定形膜制造方法,抗蚀剂图案形成方法,用于光刻,电路图案形成方法和用于光刻薄膜的底层薄膜的制造方法,用于形成光学构件的组合物, 用于形成膜,抗蚀剂树脂,辐射敏感树脂的树脂和用于形成光刻底层薄膜的树脂
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