MBE growth and processing of diluted nitride quantum well lasers on GaAs (111)B

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• 来源
  《Microelectronics journal》 |2006年第12期|p.1442-1445|共4页
• 作者

  J. Miguel-Sanchez; A. Guzman; J.M. Ulloa; M. Montes; A. Hierro; E. Munoz;

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• 作者单位

  Departamento de Ingenieria Electronica, ISOM: Institute for Systems Based on Optoelectronics and Microtechnology and Universidad Politecnica de Madrid, ETSI Telecomunicacion, Ciudad Universitaria s/n 28040 Madrid, Spain;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 微电子学、集成电路（IC）;
• 关键词

  MBE; diluted nitrides; (111)B; laser diodes;

  机译：MBE;稀释的氮化物;（111）B;激光二极管;