MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器性能的影响

曾一平

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MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器性能的影响

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采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ奕变单量子阱激光器并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＴＮＧａＡｓ生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器的阈值电流。所外延的激光器材料在２５０μｍ×５００μｍ宽接触、脉冲工作方式下测量的阈电流密度的典型值为１６０ｍＡ／ｃｍ＾２。用湿法腐蚀制作的４μｍ条宽的脊型波导激光器，阈值电流为１６ｎＡ，外

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来源
《电子显微学报》 |1997年第4期|381|共1页
作者
曾一平;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

中国科学院半导体研究所;

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正文语种 chi
中图分类激光器;
关键词
应变单量子阱; 激光器; MBE生长; 外延生长;

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