Numerical investigation of characteristics of p-channel Ge/Si hetero-nanocrystal memory

著录项

• 来源
  《Microelectronics journal》 |2003年第1期|p.71-75|共5页
• 作者

  H.G. Yang; Y. Shi; L. Pu; S.L. Gu; B. Shen; P. Han; R. Zhang; Y.D. Zhang;

  展开▼
• 作者单位

  Department of Physics and National Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, People's Republic of China;

  展开▼
• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 微电子学、集成电路（IC）;
• 关键词

  Ge/Si; nanocrystal; memory; hole tunneling;

  机译：Ge / Si;纳米晶体;记忆;空穴隧穿;