Transient processes in a Ge/Si hetero-nanocrystal p-channel memory

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• 来源
  《Solid-State Electronics》 |2006年第3期|p.362-366|共5页
• 作者

  Dengtao Zhao; Yan Zhu; Ruigang Li; Jianlin Liu;

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• 作者单位

  Quantum Structures Laboratory, Department of Electrical Engineering, University of California, Bourns Hall A219, Riverside, CA 92521, United States;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;
• 关键词

  hetero-nanocrystal; memory; transient;

  机译：异质纳米晶体;记忆;瞬态;