• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Microelectronics reliability >Determination of contact parameters of Ni/n-GaP Schottky contacts
【24h】

Determination of contact parameters of Ni/n-GaP Schottky contacts

机译：Ni / n-GaP肖特基触头的接触参数的确定

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The electrical analysis of Ni/n-GaP structure has been investigated by means of current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and capacitance-frequency (C-f) measurements in the temperature range of 120-320 K in dark conditions. The forward bias I-V characteristics have been analyzed on the basis of standard thermionic emission (TE) theory and the characteristic parameters of the Schottky contacts (SCs) such as Schottky barrier height (SBH), ideality factor (n) and series resistance (R_s) have been determined from the I-V measurements. The experimental values of SBH and n for the device ranged from 1.01 eV and 1.27 (at 320 K) to 0.38 eV and 5.93 (at 120 K) for Ni/n-GaP diode, respectively. The interface states in the semiconductor bandgap and their relaxation time have been determined from the C-f char-acteristics. The interface state density N_(ss) has ranged from 2.08 x 10~(15) (eV~(-1) m~(-2)) at 120 K to 2.7 x 10~(15) (eV~(-1) m~(-2)) at 320 K. C_(ss) has increased with increasing temperature. The relaxation time has ranged from 4.7 x 10~(-7) s at 120 K to 5.15 x 10~(-7) s at 320 K.
机译：通过在黑暗条件下在120-320 K的温度范围内进行电流-电压（I-V），电容-电压（C-V）和电容-频率（C-f）测​​量，研究了Ni / n-GaP结构的电分析。根据标准热电子发射（TE）理论和肖特基接触（SCs）的特征参数（例如肖特基势垒高度（SBH），理想因子（n）和串联电阻（R_s））分析了正向偏置IV特性。从IV测量中已经确定。该器件的SBH和n的实验值分别为1.01 eV和1.27（在320 K下）到Ni / n-GaP二极管的0.38 eV和5.93（在120 K下）。半导体带隙中的界面态及其弛豫时间已根据C-f特性确定。 120 K时的界面态密度N_（ss）从2.08 x 10〜（15）（eV〜（-1）m〜（-2））到2.7 x 10〜（15）（eV〜（-1） m _（-2））在320K。C_（ss）随着温度的升高而增加。弛豫时间的范围从120 K时的4.7 x 10〜（-7）s到320 K时的5.15 x 10〜（-7）s。

著录项

  • 来源
    《Microelectronics reliability》 |2012年第6期|p.1005-1011|共7页
  • 作者

    S. Duman; K. Ejderha; OE. Yigit; A. Tueruet;

  • 作者单位

    Department of Physics, Faculty of Sciences, Atatuerk University, 25240 Erzurum, Turkey;

    Department of Physics, Faculty of Sciences and Arts, Bingoel University, Bingoel, Turkey;

    Department of Physics, Faculty of Sciences, Atatuerk University, 25240 Erzurum, Turkey;

    Department of Physics Engineering, Faculty of Sciences, Istanbul Medeniyet University, 34000 Istanbul, Turkey;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号