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Modeling of SET seasoning effects in Phase Change Memory arrays

机译：相变记忆阵列中SET调味效果的建模

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摘要

The experimental analysis of the electrical behavior of Phase Change Memory arrays evidenced a seasoning effect both on SET and RESET state. The previous modeling efforts on this issue were addressed only towards RESET operation. This work presents a SET seasoning model implemented within a numerical simulator starting from the extraction of the characteristic Erase operation kinetic parameters, in order to complete the picture of seasoning modeling in PCM. The analysis of such phenomenon, that is not detrimental to the memory, allows a better comprehension of the transition dynamics from the amorphous to the crystalline phase. The model developed reproduces experimental data obtained with writing waveforms featuring different crystallization approaches.
机译：对相变存储器阵列的电性能进行的实验分析表明，调味对SET和RESET状态都有影响。先前针对此问题的建模工作仅针对RESET操作。这项工作提出了一个在数字模拟器中实现的SET调味模型，该模型从特征Erase操作动力学参数的提取开始，以完成PCM中的调味模型。对这种对存储器无害的现象的分析，可以更好地理解从非晶相到结晶相的跃迁动力学。开发的模型再现了通过具有不同结晶方法的写入波形获得的实验数据。

著录项

  • 来源
    《Microelectronics reliability》 |2012年第6期|p.1060-1064|共5页
  • 作者

    C. Zambelli; A. Chimenton; P. Olivo;

  • 作者单位

    University degli Studi di Ferrara, Dip. di lngegneria. Via Saragat 1, Ferrara 44122, Italy;

    University degli Studi di Ferrara, Dip. di lngegneria. Via Saragat 1, Ferrara 44122, Italy;

    University degli Studi di Ferrara, Dip. di lngegneria. Via Saragat 1, Ferrara 44122, Italy;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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