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IEEE International Memory Workshop
IEEE International Memory Workshop
召开年:
2010
召开地:
Seoul(KR)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
PORTLESS low power mux architecture with line hard duplication
机译:
具有线硬复制功能的低功耗多路复用器架构
作者:
Hamouche Lahcen
;
Allard Bruno
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
2.
A novel superlattice band-gap engineered (SBE) capacitorless DRAM cell with extremely short channel length down to 30 nm
机译:
一种新型超晶格带隙工程(SBE)无电容器DRAM单元,具有极短的通道长度,低至30 nm
作者:
Lee Sunyeong
;
Jang J.
;
Shin J.
;
Kim H.
;
Bae H.
;
Yun D.
;
Kim D. H.
;
Kim D. M.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
3.
Observation of three-level random telegraph noise in GIDL current of Saddle-Fin type DRAM cell transistor
机译:
鞍形DRAM单元晶体管的GIDL电流中的三电平随机电报噪声的观察
作者:
Oh Byoungchan
;
Cho Heung-Jae
;
Kim Heesang
;
Shin Hyungcheol
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
4.
A comparative study of the program efficiency of gate all around SONOS and TANOS flash memory
机译:
围绕SONOS和TANOS闪存的门编程效率的比较研究。
作者:
Ji Junghwan
;
Park Byung-Gook
;
Lee Jong Ho
;
Shin Hyungcheol
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
5.
Impact of plasma gate reoxidation on the non-volatile charge trap memory device
机译:
等离子体栅极再氧化对非易失性电荷陷阱存储器件的影响
作者:
Gilmer D. C.
;
Lim K. Y.
;
Park H.
;
Park C.
;
Goel N.
;
Kirsch P. D.
;
Jammy R.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
6.
Charge loss in TANOS devices caused by Vt sensing measurements during retention
机译:
保留期间Vt感应测量导致TANOS器件中的电荷损失
作者:
Park H.
;
Bersuker G.
;
Gilmer D.
;
Lim K. Y.
;
Jo M.
;
Hwang H.
;
Padovani A.
;
Larcher L.
;
Pavan P.
;
Taylor W.
;
Kirsch P. D.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
7.
Novel 3-D stacked NAND flash string without body cross-talk effect
机译:
新颖的3-D堆叠NAND闪存串,无串扰效应
作者:
Jeong Min-Kyu
;
Lee Joo-Wan
;
Cho Ilwhan
;
Park Byung-Gook
;
Shin Hyung-Cheol
;
Lee Jong-Ho
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
8.
NBTI stress relaxation design for scaling high-voltage transistors in NAND Flash memories
机译:
NBTI应力松弛设计,用于缩放NAND闪存中的高压晶体管
作者:
Tanzawa Toru
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
9.
Experimental characterization of SET seasoning on Phase Change Memory arrays
机译:
相变存储阵列上SET调味料的实验表征
作者:
Zambelli Cristian
;
Chimenton Andrea
;
Olivo Piero
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
10.
Sub-10 µA reset in NiO-based resistive switching memory (RRAM) cells
机译:
基于NiO的电阻式开关存储器(RRAM)单元的亚10 µA复位
作者:
Nardi F.
;
Ielmini D.
;
Cagli C.
;
Spiga S.
;
Fanciulli M.
;
Goux L.
;
Wouters D. J.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
关键词:
Resistive switching memory (RRAM);
crossbar architecture;
nonvolatile memory;
transition metal oxide;
11.
A Cu
x
O-based resistive memory with low power and high reliability for SOC nonvolatile memory applications
机译:
低功耗,高可靠性的基于Cu
x inf> O的电阻存储器,用于SOC非易失性存储器应用
作者:
Wang M.
;
Song Y. L.
;
Wan H.J.
;
Lv H.B.
;
Zhou P.
;
Tang T. A.
;
Lin Y. Y.
;
Huang R.
;
Song S.
;
Wu J. G.
;
Wu H. M.
;
Chi M. H.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
12.
CoOx-RRAM memory cell technology using recess structure for 128Kbits memory array
机译:
CoOx-RRAM存储单元技术,采用用于128Kbits存储阵列的凹槽结构
作者:
Kawabata Suguru
;
Nakura Mitsuru
;
Yamazaki Shinobu
;
Shibuya Takahiro
;
Inoue Yushi
;
Onishi Junya
;
Tabuchi Yoshiaki
;
Tamai Yukio
;
Yaoi Yoshifumi
;
Ishihara Kazuya
;
Ohta Yoshiji
;
Shima Hisashi
;
Akinaga Hiro
;
Fukuda Natsuki
;
Kurihara Hidenao
;
Yoshida Yoshiaki
;
Kokaze Yutaka
;
Nishioka Yutaka
;
Suu Koukou
;
Nakayama Kazuya
;
Kitagawa Akio
;
Ohnishi Shigeo
;
Awaya Nobuyoshi
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
13.
Demonstration of Conductive Bridging Random Access Memory (CBRAM) in Logic CMOS Process
机译:
逻辑CMOS工艺中的导电桥接随机存取存储器(CBRAM)演示
作者:
Gopalan Chakravarthy
;
Ma Yi
;
Gallo Tony
;
Wang Janet
;
Runnion Ed
;
Saenz Juan
;
Koushan Foroozan
;
Hollmer Shane
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
14.
A phenomenological model of oxygen ion transport for metal oxide resistive switching memory
机译:
金属氧化物电阻开关记忆的氧离子迁移现象模型
作者:
Yu Shimeng
;
Wong H.-S. Philip
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
15.
A 1.0V power supply, 9.5GByte/sec write speed, Single-Cell Self-Boost program scheme for Ferroelectric NAND Flash SSD
机译:
用于铁电NAND闪存SSD的1.0V电源,9.5GB /秒的写入速度,单单元自升压编程方案
作者:
Miyaji Kousuke
;
Noda Shinji
;
Hatanaka Teruyoshi
;
Takahashi Mitsue
;
Sakai Shigeki
;
Takeuchi Ken
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
16.
A 40nm low power SRAM retention circuit with PVT-aware self-refreshing virtual VDD regulation
机译:
40nm低功耗SRAM保持电路,具有可识别PVT的自刷新虚拟VDD调节
作者:
Dray Cyrille
;
Badereddine Nabil
;
Chanussot Christophe
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
17.
Highly-scalable disruptive reading scheme for Gb-scale SPRAM and beyond
机译:
适用于Gb级SPRAM及更高版本的高度可扩展的破坏性读取方案
作者:
Takemura R.
;
Kawahara T.
;
Ono K.
;
Miura K.
;
Matsuoka H.
;
Ohno H.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
关键词:
MRAM;
SPRAM;
disruptive reading;
restoring and TMR;
18.
Non-volatile Spin-Transfer Torque RAM (STT-RAM): An analysis of chip data, thermal stability and scalability
机译:
非易失性自旋转扭矩RAM(STT-RAM):芯片数据,热稳定性和可扩展性的分析
作者:
Driskill-Smith A.
;
Watts S.
;
Apalkov D.
;
Druist D.
;
Tang X.
;
Diao Z.
;
Luo X.
;
Ong A.
;
Nikitin V.
;
Chen E.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
19.
Study of electron and hole injection statistics of BE-SONOS NAND Flash
机译:
BE-SONOS NAND Flash的电子和空穴注入统计研究
作者:
Lue Hang-Ting
;
Hsu Tzu-Hsuan
;
Lai Sheng-Chih
;
Chen Y. J.
;
Chen K. F.
;
Lo Chester
;
Huang I. J.
;
Han T. T.
;
Chen M.S.
;
Lu W. P.
;
Chen K. C.
;
Chang C.S.
;
Liaw M. H.
;
Hsieh Kuang-Yeu
;
Lu Chih-Yuan
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
20.
Investigation of charge-trap memories with AlN based band engineered storage layers
机译:
使用基于AlN的波段工程存储层研究电荷陷阱存储器
作者:
Molas G.
;
Colonna J. P.
;
Kies R.
;
Belhachemi D.
;
Bocquet M.
;
Gely M.
;
Vidal V.
;
Brianceau P.
;
Vandroux L.
;
Ghibaudo G.
;
De Salvo B.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
关键词:
AlN;
Charge trap memories;
MANOS;
TANOS;
engineered charge trapping layer;
reliability;
21.
Design impacts on NAND Flash memory core circuits with vertical MOSFETs
机译:
设计对采用垂直MOSFET的NAND闪存核心电路的影响
作者:
Sakui Koji
;
Endoh Tetsuo
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
22.
Post-manufacturing, 17-times acceptable raw bit error rate enhancement, dynamic codeword transition ECC scheme for highly reliable solid-state drives, SSDs
机译:
制造后,可接受的原始错误率提高了17倍,动态代码字转换ECC方案可用于高度可靠的固态驱动器,SSD
作者:
Tanakamaru Shuhei
;
Esumi Atsushi
;
Ito Mitsuyoshi
;
Li Kai
;
Takeuchi Ken
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
23.
High performance Flash memory for 65 nm embedded automotive application
机译:
适用于65 nm嵌入式汽车应用的高性能闪存
作者:
Piazza Fausto
;
Boccaccio Christian
;
Bruyere Sylvie
;
Cea Riccardo
;
Clark Bill
;
Degors Nicolas
;
Collins Christopher
;
Gandolfo Anna
;
Gilardini Annalisa
;
Gomiero Enrico
;
Mans Pier Marie
;
Mastracchio Gianfranco
;
Pacelli David
;
Planes Nicolas
;
Simon Jacques
;
Weybright Mary
;
Maurelli Alfonso
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
24.
Zero-cost MTP high density NVM modules in a CMOS process flow
机译:
CMOS工艺流程中的零成本MTP高密度NVM模块
作者:
Atrash A.
;
Cassuto G.
;
Chen W.
;
Dayan V.
;
Galzur O.
;
Gutman M.
;
Heiman A.
;
Hunsinger G.
;
Nahmad D.
;
Parag A.
;
Pikhay E.
;
Roizin Y.
;
Smith B.
;
Strum A.
;
Tishbi T.
;
Teggatz R.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
25.
Improved resistive switching memory characteristics using novel bi-layered Ge
0.2
Se
0.8
/Ta
2
O
5
solid-electrolytes
机译:
使用新型双层Ge
0.2 inf> Se
0.8 inf> / Ta
2 inf> O
5 inf>固体电解质改善电阻开关存储特性
作者:
Rahaman S. Z.
;
Maikap S.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
关键词:
Cu filament;
GeSe;
bi-layered solid-electrolyte;
high-к Tainf2/infOinf5/inf;
nanoscale memory;
resistive switching;
26.
Flexible and transparent ReRAM with GZO-memory-layer and GZO-electrodes on large PEN sheet
机译:
大型PEN板上具有GZO记忆层和GZO电极的灵活透明ReRAM
作者:
Kinoshita K.
;
Okutani T.
;
Tanaka H.
;
Hinoki T.
;
Agura H.
;
Yazawa K.
;
Ohmi K.
;
Kishida S.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
27.
Comparative study of non-polar switching behaviors of NiO- and HfO
2
-based Oxide Resistive-RAMs
机译:
NiO和HfO
2 inf>基氧化物电阻RAM的无极性开关行为的比较研究
作者:
Jousseaume V.
;
Fantini A.
;
Nodin J.F.
;
Guedj C.
;
Persico A.
;
Buckley J.
;
Tirano S.
;
Lorenzi P.
;
Vignon R.
;
Feldis H.
;
Minoret S.
;
Grampeix H.
;
Roule A.
;
Favier S.
;
Martinez E.
;
Calka P.
;
Rochat N.
;
Auvert G.
;
Barnes J.P.
;
Gonon P.
;
Vallee C.
;
Perniola L.
;
De Salvo B.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
28.
High performance 65nm 2T-embedded Flash memory for high reliability SOC applications
机译:
高性能65nm 2T嵌入式闪存,用于高可靠性SOC应用
作者:
Kim Sung-Rae
;
Han Kyung Joon
;
Lee Kin-Sing
;
Li Rophina
;
Wolfman Jonathan
;
Kim Tae-Hoon
;
Liu Patty
;
Kim Hyuk
;
Lee Poong-Yeub
;
Wang Yu
;
Jia Yingbo
;
Dhaoui Fethi
;
Hawley Frank
;
Tseng Huan-Chung
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
29.
Extraction of the retention properties of a phase-change cell from temperature-ramp tests using a novel method
机译:
使用新方法从温度斜坡测试中提取相变电池的保留特性
作者:
Goux L.
;
Hurkx G.A.M.
;
Wang X.P.
;
Delhougne R.
;
Attenborough K.
;
Gravesteijn D.
;
Wouters D.
;
Gonzalez J. Perez
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
30.
On Carbon doping to improve GeTe-based Phase-Change Memory data retention at high temperature
机译:
关于碳掺杂以改善基于GeTe的相变存储器在高温下的数据保留
作者:
Beneventi G. Betti
;
Gourvest E.
;
Fantini A.
;
Perniola L.
;
Sousa V.
;
Maitrejean S.
;
Bastien J.C.
;
Bastard A.
;
Fargeix A.
;
Hyot B.
;
Jahan C.
;
Nodin J.F.
;
Persico A.
;
Blachier D.
;
Toffoli A.
;
Loubriat S.
;
Roule A.
;
Lhostis S.
;
Feldis H.
;
Reimbold G.
;
Billon T.
;
De Salvo B.
;
Larcher L.
;
Pavan P.
;
Bensahel D.
;
Mazoyer P.
;
Annunziata R.
;
Boulanger F.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
31.
Impact of material composition on the write performance of phase-change memory devices
机译:
材料成分对相变存储器件写入性能的影响
作者:
Boniardi M.
;
Ielmini D.
;
Lacaita A. L.
;
Redaelli A.
;
Pirovano A.
;
Tortorelli I.
;
Allegra M.
;
Magistretti M.
;
Bresolin C.
;
Erbetta D.
;
Modelli A.
;
Varesi E.
;
Pellizzer F.
;
Bez R.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
关键词:
Phase change memory;
chalcogenide;
composition engineering;
ternary-diagram;
32.
Characterization of novel SiO
2
/a-Si/a-SiOx tunnel barrier engineered oxide
机译:
新型SiO
2 inf> / a-Si / a-SiOx隧道势垒工程氧化物的表征
作者:
Baek Sungkweon
;
Yang Sangryol
;
Ahn Jae-young
;
Koo Bonyoung
;
Hwang Kihyun
;
Choi Siyoung
;
Kang Chang-Jin
;
Moon Joo-Tae
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
关键词:
NAND;
TBE;
amorphous silicon;
tunnel oxide;
33.
Exploration of rare earth materials for future interpoly dielectric replacement in Flash memory devices
机译:
探索稀土材料,以备将来在闪存设备中替代多晶硅使用
作者:
Wellekens Dirk
;
Van Elshocht Sven
;
Adelmann Christoph
;
Meersschaut Johan
;
Swerts Johan
;
Kittl Jorge
;
Cacciato Antonio
;
Debusschere Ingrid
;
Jurczak Malgorzata
;
Van Houdt Jan
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
34.
A study of barrier engineered Al
2
O
3
and HfO
2
high-K charge trapping devices (BE-MAONOS and BE-MHONOS) with optimal high-K thickness
机译:
优化设计的势垒工程Al
2 inf> O
3 inf>和HfO
2 inf>高K电荷捕获装置(BE-MAONOS和BE-MHONOS)高K厚度
作者:
Lai Sheng-Chih
;
Chen Chih-Ping
;
Du Pei-Ying
;
Lue Hang-Ting
;
Heh Dawei
;
Shen Chih-Yen
;
Hsueh F.K.
;
Wu H.Y.
;
Liao Jeng-Hwa
;
Hsieh Jung-Yu
;
Wu M.T.
;
Hsu F.H.
;
Hong S.P.
;
Yeh C.T.
;
Hung Yung-Tai
;
Hsieh Kuang-Yeu
;
Lu Chih-Yuan
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
35.
The dual role of PZT in metal-PZT-Al
2
O
3
structure for nonvolatile memory cell
机译:
PZT在非易失性存储单元的金属-PZT-Al
2 inf> O
3 inf>结构中的双重作用
作者:
Cui Sharon
;
Eun Dongseog
;
Marinkovic Bozidar
;
Peng Cheng-Yi
;
Pan Xiao
;
Sun Xiao
;
Koser Hur
;
Ma T.P.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
36.
A consistent explanation of the role of the SiN composition on the program/retention characteristics of MANOS and NROM like memories
机译:
关于SiN成分对MANOS和NROM之类的程序/保留特性的作用的一致解释
作者:
Vianello E.
;
Nowak E.
;
Perniola L.
;
Driussi F.
;
Blaise P.
;
Molas G.
;
De Salvo B.
;
Selmi L.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
37.
Understanding the impact of metal gate on TANOS performance and retention
机译:
了解金属门对TANOS性能和保持力的影响
作者:
Van den bosch G.
;
Arreghini A.
;
Breuil L.
;
Cacciato A.
;
Schram T.
;
Suhane A.
;
Zahid M. B.
;
Jurczak M.
;
Van Houdt J.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
38.
A comprehensive study of degradation behavior of select transistors in the Charge Trap Flash memories
机译:
对电荷陷阱闪存中所选晶体管的退化行为的全面研究
作者:
Choe Byeong-In
;
Chang Sung-Il
;
Kang Changseok
;
Park Jintaek
;
Chung Joohyuck
;
Park Youngwoo
;
Choi Jungdal
;
Chung Chilhee
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
39.
In-depth analysis of 3D Silicon nanowire SONOS memory characteristics by TCAD simulations
机译:
通过TCAD仿真对3D硅纳米线SONOS存储器特性进行深入分析
作者:
Nowak E.
;
Hubert A.
;
Perniola L.
;
Ernst T.
;
Ghibaudo G.
;
Reimbold G.
;
De Salvo B.
;
Boulanger F.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
40.
The challenges and limitations on triple level cell geometry and process beyond 20 nm NAND Flash technology
机译:
超越20 nm NAND闪存技术的三层单元几何结构和工艺面临的挑战和局限性
作者:
Lee Yunbong
;
Park Byoungjun
;
Yun DaeHwan
;
Jeong YeonJoo
;
Kim Pyoung Hwa
;
Park Ji Yul
;
Yang Hae chang
;
Cho Myoung Kwan
;
Ahn Kun-Ok
;
Yohwan Koh
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
41.
Scalability enhancement of FG NAND by FG shape modification
机译:
通过FG形状修改来增强FG NAND的可扩展性
作者:
Ganguly Udayan
;
Yokota Yoshitaka
;
Tang Jing
;
Sun Shiyu
;
Rogers Matt
;
Jin Miao
;
Thadani Kiran
;
Hamana Hiroshi
;
Leung Garlen
;
Chandrasekaran Balaji
;
Thirupapuliyur Sunderraj
;
Olsen Chris
;
Nguyen Vicky
;
Srinivasan Swami
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
42.
A critical examination of 3D stackable NAND Flash memory architectures by simulation study of the scaling capability
机译:
通过扩展能力的仿真研究对3D可堆叠NAND闪存架构进行严格审查
作者:
Hsiao Yi-Hsuan
;
Lue Hang-Ting
;
Hsu Tzu-Hsuan
;
Hsieh Kuang-Yeu
;
Lu Chih-Yuan
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
43.
3D IC architecture for high density memories
机译:
高密度存储器的3D IC架构
作者:
Lee Sang-Yun
;
Schroder Dieter K.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
44.
The 3-dimensional vertical FG NAND flash memory cell arrays with the novel electrical S/D technique using the Extended Sidewall Control Gate (ESCG)
机译:
具有新型电子S / D技术的3维垂直FG NAND闪存单元阵列,使用扩展侧壁控制门(ESCG)
作者:
Seo Moon-Sik
;
Park Sung-kye
;
Endoh Tetsuo
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
45.
Technology challenges for deep-nano semiconductor
机译:
深纳米半导体的技术挑战
作者:
Kim Kinam
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
46.
Non-volatile memories in the foundry business
机译:
铸造业务中的非易失性存储器
作者:
Strum Avi
;
Mahlen Todd
;
Roizin Yakov
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
47.
Architectural design for next generation heterogeneous memory systems
机译:
下一代异构存储系统的架构设计
作者:
Bivens Alan
;
Dube Parijat
;
Franceschini Michele
;
Karidis John
;
Lastras Luis
;
Tsao Mickey
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
48.
Future evolution of memory subsystem in mobile applications
机译:
移动应用程序中存储子系统的未来发展
作者:
Choi Youngjoon
;
Jeong Hyojin
;
Kim Hyunbo
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
关键词:
flash;
performance;
storage architecture;
49.
Low power 3D-integrated Solid-State Drive (SSD) with adaptive voltage generator
机译:
具有自适应电压发生器的低功耗3D集成固态驱动器(SSD)
作者:
Takeuchi Ken
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
50.
Phase Change Memory development trends
机译:
相变存储器的发展趋势
作者:
Bez R.
;
Bossi S.
;
Gleixner B.
;
Pellizzer F.
;
Pirovano A.
;
Servalli G.
;
Tosi M.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
51.
Through-silicon-via technology for 3D integration
机译:
硅通孔技术实现3D集成
作者:
Dukovic J.
;
Ramaswami S.
;
Pamarthy S.
;
Yalamanchili R.
;
Rajagopalan N.
;
Sapre K.
;
Cao Z.
;
Ritzdorf T.
;
Wang Y.
;
Eaton B.
;
Ding R.
;
Hernandez M.
;
Naik M.
;
Mao D.
;
Tseng J.
;
Cui D.
;
Mori G.
;
Fulmer P.
;
Sirajuddin K.
;
Hua J.
;
Xia S.
;
Erickson D.
;
Beica R.
;
Young E.
;
Kusler P.
;
Kulzer R.
;
Oemardani S.
;
Dai H.
;
Xu X.
;
Okazaki M.
;
Dotan K.
;
Yu C.
;
Lazik C.
;
Tran J.
;
Luo L.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
52.
Multi-level lateral phase change memory based on N-doped Sb
70
Te
30
super-lattice like structure
机译:
基于N掺杂Sb
70 inf> Te
30 inf>超晶格结构的多层横向相变存储器
作者:
Yang H. X.
;
Shi L. P.
;
Lee H. K.
;
Zhao R.
;
Li M.H.
;
Li J.M.
;
Lim K.G.
;
Chong T. C.
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
53.
Design of TAS-MRAM prototype for NV embedded memory applications
机译:
用于NV嵌入式存储器应用的TAS-MRAM原型设计
作者:
Chaudhuri Sumanta
;
Zhao Weisheng
;
Klein Jacques-Olivier
;
Chappert Claude
;
Mazoyer Pascale
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
54.
A novel fatigue-insensitive self-referenced scheme for 1T1C FRAM
机译:
1T1C FRAM的新型疲劳不敏感自参考方案
作者:
Jia Ze
;
Zhang Gong
;
Zhang Ming-ming
;
Ren Tian-ling
;
Chen Hong-yi
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
55.
Lifetime and wearout current modeling of ultra-thin oxide antifuse bitcells using transient characterization
机译:
利用瞬态表征对超薄氧化物反熔丝位电池进行寿命和损耗电流建模
作者:
Deloge Matthieu
;
Allard Bruno
;
Candelier Philippe
;
Damiens Joel
;
Le-Roux Elise
;
Rafik Mustapha
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
关键词:
Antifuse;
Fowler-Nordheim;
Hydrogen release;
TDDB;
breakdown;
lifetime;
memory;
ultra-thin oxide;
56.
Highly-reliable NAND flash memory using Al
2
O
3
-inserted inter-poly dielectric
机译:
使用插入了Al
2 inf> O
3 inf>的层间多电介质的高度可靠的NAND闪存
作者:
Lee Sung-Hae
;
Koo Bonyoung
;
Hwang Kihyun
;
Choi Siyoung
;
Moon Joo-tae
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
57.
Author index
机译:
作者索引
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
58.
General chair
机译:
普通椅
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
59.
Copyright page
机译:
版权页
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
60.
Table of contents
机译:
目录
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
61.
Summary of events
机译:
活动摘要
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
62.
Title page
机译:
封面
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2010年
63.
Data Pattern Memory Variation Aware Fine-Grained ECC Optimized by Neural Network for 3D-TLC NAND Flash Memories with 2.0x Data-Retention Time Extension and 30 Parity Overhead Reduction
机译:
数据模式和内存变化,通过针对3D-TLC NAND NAND闪存的神经网络优化的细粒化ECC,具有2.0倍的数据保留时间延伸和30%奇偶校验
作者:
Toshiki Nakamura
;
Shun Suzuki
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Error correction codes;
Reliability;
Proposals;
Flash memories;
Decoding;
Training;
Artificial neural networks;
64.
IMW 2019 Schedule
机译:
IMW 2019时间表
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
65.
Selector-Free Cross-Point Memory Architecture Based on Ferroelectric MFM Capacitors
机译:
基于铁电MFM电容的自由式交叉点存储器架构
作者:
W. Chen
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Computer architecture;
Microprocessors;
Magnetic cores;
Capacitors;
Magnetic hysteresis;
Sensors;
Magnetic fields;
66.
Enabling STT-MRAM in High Volume Manufacturing for LLC Applications
机译:
为LLC应用启用高批量生产的STT-MRAM
作者:
R. Whig
;
C. Ching
;
X. Wang
;
P. Agrawal
;
D. Kim
;
R. Wang
;
J. Lei
;
R. Zheng
;
L. Xue
;
J. Ahn
;
H. Tseng
;
S. Kumar
;
W. Zhou
;
E. Budiarto
;
T. Egan
;
S. Venkatanarayanan
;
N. Khasgiwale
;
W. Chen
;
C. Zhou
;
M. Pakala
;
K. Moraes
;
X. Tang
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Magnetic tunneling;
Thickness measurement;
Monitoring;
Optimization;
Performance evaluation;
Metrology;
Annealing;
67.
IMW 2019 Summary of Events
机译:
IMW 2019事件摘要
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
68.
40nm embedded Select in Trench Memory (eSTM) Technology Overview
机译:
在沟槽内存(ESTM)技术概述中40nm嵌入式选择
作者:
F. La Rosa
;
S. Niel
;
A. Regnier
;
F. Maugain
;
M. Mantelli
;
A. Conte
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Computer architecture;
Nonvolatile memory;
Programming;
Microcontrollers;
Transistors;
Split gate flash memory cells;
69.
Synaptic Devices Based on 3-D AND Flash Memory Architecture for Neuromorphic Computing
机译:
基于三维和闪存架构的神经形态计算的突触装置
作者:
Yoohyun Noh
;
Yungtak Seo
;
Byunggook Park
;
Jong-Ho Lee
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Computer architecture;
Microprocessors;
Logic gates;
Neuromorphics;
Performance evaluation;
Three-dimensional displays;
Flash memories;
70.
Ultra-Low Standby Power Embedded SRAM Design Techniques for Smart IoT Applications
机译:
智能物联网应用的超低待机功率嵌入式SRAM设计技术
作者:
Koji Nii
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Random access memory;
Internet of Things;
Very large scale integration;
CMOS technology;
Imaging;
Sensors;
Performance evaluation;
71.
Read Disturb Evaluations of 3D NAND Flash for Highly Read-Intensive Edge-Computing Inference Device for Artificial Intelligence Applications
机译:
用于对人工智能应用的高度读取密集的边缘计算推理装置的3D NAND Flash的读取干扰评估
作者:
Pei-Ying Du
;
Hang-Ting Lue
;
Tzu-Hsuan Hsu
;
Chih-Chang Hsieh
;
Wei-Chen Chen
;
Kuo-Ping Chang
;
Keh-Chung Wang
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Flash memories;
Three-dimensional displays;
Stress;
Artificial intelligence;
Transistors;
Performance evaluation;
Logic gates;
72.
Retention and Endurance of FeFET Memory Cells
机译:
FEFET记忆单元的保留和耐久性
作者:
T.P. Ma
;
Nanbo Gong
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Hafnium compounds;
Electron traps;
Silicon;
Erbium;
Buffer layers;
Logic gates;
Substrates;
73.
Novel Logic Non-Volatile Memory with Highly Reliable Performances for Autotronic Application
机译:
新型逻辑非易失性存储器,具有高度可靠的自动调节应用性能
作者:
Chun Hsiao Li
;
Hsueh Wei Chen
;
Hung Yi Liao
;
Wei Ren Chen
;
Wein Town Sun
;
Te Hsun Hsu
;
CY Lin
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Nonvolatile memory;
Erbium;
Programming;
Reliability;
Fabrication;
Ions;
Substrates;
74.
Embedded Resistive Switching Non-Volatile Memory Technology for 28nm and Beyond High-k Metal-Gate Generations
机译:
嵌入式电阻切换非易失性存储器技术28nm及超出高k金属门代代
作者:
Steve S. Chung
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Nonvolatile memory;
Logic gates;
Aluminum oxide;
Hafnium compounds;
Resistance;
Computer architecture;
Switches;
75.
High Speed, Low Power, and Ultra-Small Operating Platform with Three-Dimensional Integration (3DI) by Bumpless Interconnects
机译:
高速,低功耗和超小型操作平台,具有无浮粘连的三维集成(3DI)
作者:
Koji Sakui
;
Takayuki Ohba
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Through-silicon vias;
Three-dimensional displays;
Silicon;
Integrated circuit interconnections;
Random access memory;
Two dimensional displays;
Impedance;
76.
Ferroelectric HfO
2
for Memory Applications: Impact of Si Doping Technique and Bias Pulse Engineering on Switching Performance
机译:
铁电HFO
2 INF>用于存储器应用:SI掺杂技术的影响和偏置脉冲工程对开关性能的影响
作者:
T. Francois
;
J. Coignus
;
L. Grenouillet
;
J.P. Barnes
;
N. Vaxelaire
;
J. Ferrand
;
I. Bottala-Gambetta
;
M. Gros-Jean
;
S. Jeannot
;
P. Boivin
;
P. Chiquet
;
M. Bocquet
;
E. Nowak
;
F. Gaillard
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Doping;
Hafnium compounds;
Ion implantation;
Switches;
Performance evaluation;
Tin;
77.
Spin-Orbit Torque MRAM for ultrafast embedded memories: from fundamentals to large scale technology integration
机译:
用于超超速嵌入式记忆的旋转轨道扭矩MRAM:从基本上到大规模技术整合
作者:
Kevin Garello
;
Farrukh Yasin
;
Gouri Sankar Kar
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Switches;
Magnetic tunneling;
Torque;
Current density;
Magnetic anisotropy;
Reliability;
Performance evaluation;
78.
High Temperature Challenge for PCM as enabler for a wide applications spectrum
机译:
PCM的高温挑战作为广泛应用频谱的推动器
作者:
P. Zuliani
;
F. Disegni
;
L. Croce
;
R. Annunziata
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Crystallization;
Phase change materials;
Programming;
Temperature distribution;
Phase change memory;
Soldering;
Resistance;
79.
IMW 2019 Technical Program
机译:
IMW 2019技术计划
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
80.
Solution for PCM and OTS Intermixing on Cross-Point Phase Change Memory
机译:
PCM和ITS混合在交叉点相变内存中的解决方案
作者:
W.C. Chien
;
L.M. Gignac
;
N. Gong
;
C.W. Yeh
;
C.H. Yang
;
R.L. Bruce
;
H.Y. Cheng
;
J.M. Papalia
;
H. Miyazoe
;
C.W. Cheng
;
W. Kim
;
I.T. Kuo
;
F. Carta
;
A. Ray
;
E.K. Lai
;
M. BrightSky
;
H.L. Lung
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Phase change materials;
Buffer layers;
Video recording;
Annealing;
Phase change memory;
Degradation;
Threshold voltage;
81.
Quantification of Compositional Runaway during Electroformation in TaO
x
Resistive Switching Devices
机译:
TAO
X / INM>电阻开关装置电铸成分失控的定量
作者:
Yuanzhi Ma
;
Jonathan Goodwill
;
Marek Skowronski
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Switches;
Resistance;
Ions;
Feedback loop;
Temperature measurement;
Temperature distribution;
82.
Analysis on Heterogeneous SSD Configuration with Quadruple-Level Cell (QLC) NAND Flash Memory
机译:
四重级单元(QLC)NAND闪存的异构SSD配置分析
作者:
Yoshiki Takai
;
Mamoru Fukuchi
;
Reika Kinoshita
;
Chihiro Matsui
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Flash memories;
Energy consumption;
Microprocessors;
Computer architecture;
Nonvolatile memory;
Cache memory;
Resistive RAM;
83.
Reliability challenges in 3D NAND Flash memories
机译:
3D NAND闪存记忆中的可靠性挑战
作者:
Cristian Zambelli
;
Rino Micheloni
;
Piero Olivo
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Flash memories;
Three-dimensional displays;
Reliability;
Signal processing algorithms;
Error correction codes;
Signal processing;
Machine learning algorithms;
84.
2T-SONOS Cell Using Novel Process Integration on HV-CMOS Platform for Versatile Application
机译:
2T-SONOS细胞使用新颖的流程集成在HV-CMOS平台上进行多功能应用
作者:
Sung-Kun Park
;
Young-Jun Kwon
;
Tae-Ho Lee
;
Woo Young Choi
;
Gyuhan Yoon
;
Jun-Ho Lee
;
Seung-Duk Kim
;
Young-Dong Joo
;
Bok-Nam Song
;
In-Wook Cho
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Programming;
IP networks;
SONOS devices;
Channel hot electron injection;
Nonvolatile memory;
Contamination;
85.
Impact of SiON tunnel layer composition on 3D NAND cell performance
机译:
Sion隧道层组成对3D NAND细胞性能的影响
作者:
L. Breuil
;
L. Nyns
;
K. Banerjee
;
S. Vadakupudhu Palayam
;
A. Subirats
;
O. Richard
;
T. Conard
;
G. Van den Bosch
;
A. Furnémont
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Dielectrics;
Computer architecture;
Three-dimensional displays;
Microprocessors;
Programming;
SONOS devices;
86.
Integration of OTS based back-end selector with HfO
2
OxRAM for crossbar arrays
机译:
基于HFO
2 INF> OXRAM的ETS基于后端选择器的整合基于HFO
2
作者:
D. Alfaro Robayo
;
G. Sassine
;
L. Grenouillet
;
C. Carabasse
;
T. Martin
;
N. Castellani
;
A. Verdy
;
G. Navarro
;
L. Ciampolini
;
B. Giraud
;
M. Bernard
;
T. Magis
;
V. Beugin
;
E. Vianello
;
G. Ghibaudo
;
G. Molas
;
E. Nowak
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Switches;
Threshold voltage;
Leakage currents;
Voltage measurement;
Current measurement;
Hafnium compounds;
Pulse measurements;
87.
Nanoscale filaments in Ta-O resistive RAM bit array: microscopy analysis and switching property
机译:
TA-O电阻RAM位阵列中的纳米级细丝:显微镜分析和切换性
作者:
M. Arita
;
A. Tsurumaki-Fukuchi
;
Y. Takahashi
;
S. Muraoka
;
S. Ito
;
S. Yoneda
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Switches;
Tantalum;
Resistors;
Resistive RAM;
Microscopy;
Degradation;
88.
Tunable Performances in OTS Selectors Thanks to Ge
3
Se
7
-As
2
Te
3
机译:
通过GET
3 IM> SE
2 INF> TE
3 INF>在其选择器中进行可调性能。
作者:
A. Verdy
;
M. Bernard
;
N. Castellani
;
P. Noé
;
J. Garrione
;
G. Bourgeois
;
M. C. Cyrille
;
G. Navarro
;
E. Nowak
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Thermal stability;
Switches;
Metals;
Stability analysis;
Compounds;
Threshold voltage;
89.
Outstanding Improvement in 4Kb Phase-Change Memory of Programming and Retention Performances by Enhanced Thermal Confinement
机译:
通过增强的热限制,4KB相变性能的4KB相变记忆的突出改善
作者:
A. L. Serra
;
O. Cueto
;
N. Castellani
;
J. Sandrini
;
G. Bourgeois
;
N. Bernier
;
M. C. Cyrille
;
J. Garrione
;
M. Bernard
;
V. Beugin
;
A. André
;
J. Guerrero
;
G. Navarro
;
E. Nowak
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Phase change materials;
Encapsulation;
Silicon carbide;
Resistance;
Programming;
Thermal conductivity;
90.
Highly Sb-Rich Ge-Sb-Te Engineering in 4Kb Phase-Change Memory for High Speed and High Material Stability Under Cycling
机译:
高度SB的GE-SB-TE工程在4KB相变存储器中,用于循环下的高速和高质量稳定性
作者:
G. Navarro
;
C. Sabbione
;
M. Bernard
;
G. Bourgeois
;
J. Sandrini
;
N. Castellani
;
O. Cueto
;
J. Garrione
;
M. C. Cyrille
;
M. Frei
;
L. Nistor
;
N. Bernier
;
F. Fillot
;
E. Nolot
;
C. Socquet-Clerc
;
T. Magis
;
F. Laulagnet
;
M. Pakala
;
E. Nowak
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Phase change materials;
Germanium;
Programming;
Resistance;
Performance evaluation;
Reliability;
Annealing;
91.
Switching Speed Analysis and Controlled Oscillatory Behavior of a Cr-Doped V
2
O
3
Threshold Switching Device for Memory Selector and Neuromorphic Computing Application
机译:
CR掺杂V
2 INF> O
3 INF>阈值开关装置的开关速度分析和控制振荡行为,用于存储器选择器和神经形态计算应用
作者:
T. Hennen
;
D. Bedau
;
J. A. J. Rupp
;
C. Funck
;
S. Menzel
;
M. Grobis
;
R. Waser
;
D. J. Wouters
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Switches;
Resistance;
Oscillators;
Temperature;
Temperature measurement;
Trajectory;
Temperature dependence;
92.
Neuromorphic computing based on Analog ReRAM as low power solution for edge application
机译:
基于模拟RERAM的神经形态计算为边缘应用的低功耗解决方案
作者:
Takumi Mikawa
;
Ryutaro Yasuhara
;
Koji Katayama
;
Kazuyuki Kouno
;
Takashi Ono
;
Reiji Mochida
;
Yuriko Hayata
;
Masayoshi Nakayama
;
Hitoshi Suwa
;
Yasushi Gohou
;
Toru Kakiage
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Power demand;
Reliability;
Computer architecture;
Microprocessors;
Neuromorphics;
Biological neural networks;
93.
Superb Endurance and Appropriate Vth of PCM Pillar Cell using Buffer Layer for 3D Cross-Point Memory
机译:
使用缓冲层的3D交叉点存储器的缓冲层稳定和适当的PCM柱电池Vth
作者:
N. Gang
;
W.C. Chien
;
A. Ray
;
L.M. Gignac
;
C.W. Yeh
;
C.H. Yang
;
R.L. Bruce
;
H.Y. Cheng
;
W. Kim
;
I.T. Kuo
;
C.W. Cheng
;
F. Carta
;
J.M. Papalia
;
E.K. Lai
;
H.L. Lung
;
M. BrightSky
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Phase change materials;
Buffer layers;
Three-dimensional displays;
Phase change memory;
Electrodes;
Resistance;
Robustness;
94.
Experimental Determination of the Driving Force for Switching in TiN/a-Si/TiO
x
/TiN RRAM Devices
机译:
锡/ A-Si / TiO
X / ING> /锡RRAM器件切换驱动力的实验确定
作者:
Subhali Subhechha
;
Robin Degraeve
;
Philippe Roussel
;
Ludovic Goux
;
Kristin De Meyer
;
Jan Van Houdt
;
Gouri Sankar Kar
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Switches;
Threshold voltage;
Force;
Monitoring;
Current measurement;
Transient analysis;
Modulation;
95.
Retention Characteristics of Hf
0.5
Zr
0.5
O
2
-Based Ferroelectric Tunnel Junctions
机译:
HF
0.5 INF> ZR
0.5 INF> o
2 INF>基于铁电隧道结的保留特性
作者:
Benjamin Max
;
Michael Hoffmann
;
Stefan Slesazeck
;
Thomas Mikolajick
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Aluminum oxide;
Electrodes;
Current measurement;
Switches;
Tunneling;
Junctions;
Voltage measurement;
96.
Principles and Challenges for Binary Oxide Based Ferroelectric Memory FeFET
机译:
二元氧化物铁电记忆FEFET的原理和挑战
作者:
T. Ali
;
P. Polakowski
;
T. Büttner
;
T. K?mpfe
;
M. Rudolph
;
B. P?tzold
;
R. Hoffmann
;
M. Czernohorsky
;
K. Kühnel
;
P. Steinke
;
L. M. Eng
;
K. Seidel
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Iron;
Silicon;
Nonvolatile memory;
Random access memory;
Ferroelectric films;
Scalability;
Switches;
97.
A Semiconductor Approach for Scalable Quantum Computation
机译:
可扩展量子计算的半导体方法
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
quantum computing;
98.
Study of Self-Healing 3D NAND Flash with Micro Heater to Improve the Performances and Lifetime for Fast NAND in NVDIMM Applications
机译:
微加热器自愈3D闪光的研究改善了NVDIMM应用中快速NAND的性能和寿命
作者:
Tzu-Hsuan Hsu
;
Hang-Ting Lue
;
Pei-Ying Du
;
Wei-Chen Chen
;
Teng-Hao Yeh
;
Roger Lo
;
Hung-Sheng Chang
;
Keh-Chung Wang
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Flash memories;
Three-dimensional displays;
Heating systems;
Programming;
Random access memory;
Temperature measurement;
Annealing;
99.
Training Neural Networks using Memristive Devices with Nonlinear Accumulative Behavior
机译:
使用具有非线性累积行为的忆阻器件培训神经网络
作者:
Christophe Piveteau
;
Manuel Le Gallo
;
Riduan Khaddam-Aljameh
;
Abu Sebastian
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Training;
Phase change materials;
Performance evaluation;
Phase change memory;
Biological neural networks;
Arrays;
100.
Uniting The Trinity of Ferroelectric HfO
2
Memory Devices in a Single Memory Cell
机译:
单位在单个存储器单元中注入铁电HFO
2 INF>存储器的内存设备
作者:
Stefan Slesazeck
;
Viktor Havel
;
Evelyn Breyer
;
Halid Mulaosmanovic
;
Michael Hoffmann
;
Benjamin Max
;
Stefan Duenkel
;
Thomas Mikolajick
会议名称:
《IEEE International Memory Workshop》
|
2019年
关键词:
Capacitors;
Logic gates;
Nonvolatile memory;
Random access memory;
Transistors;
Ferroelectric films;
Sensors;
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