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首页> 外文期刊>Microwaves, Antennas & Propagation, IET >Complementary metal-oxide semiconductor doherty power amplifier based on voltage combining method
【24h】

Complementary metal-oxide semiconductor doherty power amplifier based on voltage combining method

机译：基于电压合成方法的互补金属氧化物半导体晶体管功率放大器

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A 1.75 GHz Doherty power amplifier (PA) is designed and implemented in a 0.18-μm complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) process. This Doherty PA uses a voltage combining transformer to combine the output power and realise the load modulation which is different from conventional current combining Doherty amplifiers. The prototype has a power-added efficiency (PAE) of 31.6% at a maximum output power of 28.6 dBm from 3.4 V supply voltage. The PAE at 6 dB back-off is still high, about 25%. It shows clearly the efficiency enhancement at the power back-off point because of the Doherty operation. This is the first use of voltage combining techniques in CMOS Doherty PA design.
机译：1.75 GHz Doherty功率放大器（PA）是在0.18μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺中设计和实现的。该Doherty PA使用电压组合变压器来组合输出功率并实现负载调制，这不同于传统的电流组合Doherty放大器。该原型在3.4 V电源电压下的最大输出功率为28.6 dBm时具有31.6％的功率附加效率（PAE）。后退6 dB时的PAE仍然很高，约为25％。它清楚地显示了由于Doherty操作而在功率回退点处的效率提高。这是CMOS Doherty PA设计中电压组合技术的首次使用。

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