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プレーナfetは22nmで絢焉へ非プレーナ型の時代が到来

机译:平面FET为22nm,非平面时代已经到来。

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摘要

過去30年以上にわたってLSIを支えてきたプレーナ型MOS FET(プレーナrnFET)が,ぃよぃよ終焉を迎える。早ければ,2011年に量産が始まる22nm世rn代から,チャネルを立体化したフィンFETなどの非プレーナFETの出番となrnる。プレーナFETを22nm世代へ延命できたとしても,2013年に量産が始まるrn16nm世代からは非プレーナFETに移行する。2008年12月の「2008 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM)」では,こうした技術進化の方向rnを示す成果が相次ぃだ。
机译:支持LSI 30多年的平面型MOS FET(平面rnFET)即将终结。最早的批量生产将在2011年的第22代rn世代开始,非平面FET(例如具有三维通道的鳍式FET)将发挥作用。即使我们可以将平面FET的寿命延长到22 nm一代,我们也将从从16nm一代开始于2013年开始批量生产的非平面FET转移。在2008年12月举行的2008年IEEE国际电子设备会议(IEDM)上,取得了一系列成就,表明了这种技术发展的方向。

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