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【24h】

30nm以下の欠陥を新手法で検出Siウエーハの品質向上もたらす

机译:用新方法检测30 nm或更小的缺陷提高了硅晶片的质量

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摘要

32nm以下の微細プロセスでは,Siウエーハrnの非常に微小な欠陥が無視できなくなっていrnる。最近はSiウエーハ上の30nm以下の欠陥rnを検出する必要性も議論され始めている。一rn般に欠陥には,パーティクル(異物),結晶欠陥rn(COP),シヤロー・スクラッチ,残渣などがある。rnこのうち重要欠陥(DOI)は,COPとシャロー・rnスクラッチである注。洗浄工程でなくせないたrnめだ。このためCOPとシャロー・スクラッチのrn存在は,Siウエーハの開発者にとっても大きなrn課題となりつつある。
机译:在32nm以下的精细工艺中,不能忽略Si晶片rn的非常小的缺陷。近来,已经开始讨论检测在Si晶片上的30nm或更小的缺陷rn的需求。通常,缺陷包括颗粒(异物),晶体缺陷rn(COP),浅划痕和残留物。其中,主要缺陷(DOI)为COP和浅刮擦注。这是一个清洁过程,不会丢失。由于这个原因,COP和浅划痕的存在正成为硅晶片开发人员的主要问题。

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