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一定缺陷特性的半导体硅晶片的制法以及具有该特性的半导体硅晶片

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本发明涉及用于制造半导体硅晶片的方法，其中根据Czochralski法拉伸硅单晶，并将其加工成半导体晶片，在拉伸单晶期间控制拉伸速率V与生长前沿处的轴向温度梯度G的比例V/G，从而在该单晶内形成尺寸超过临界尺寸的聚集的空位缺陷，在制造该元件过程中，在对电子元件具有重要意义的半导体晶片的区域内，使该聚集的空位缺陷收缩，从而使该区域内的尺寸不再超过所述临界尺寸。本发明还涉及半导体硅晶片，其在对电子元件具有重要意义的区域内具有聚集的空位缺陷，其中该聚集的空位缺陷具有至少部分不含氧化物层的内表面，而该聚集的空位缺陷的尺寸小于50纳米。

著录项

公开/公告号CN1896339B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-12-19

原文格式PDF
申请/专利权人硅电子股份公司;
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申请/专利号CN200610093779.1
发明设计人维尔弗里德·冯·阿蒙;瓦尔特·黑克尔;安德烈亚斯·胡贝尔;乌尔里希·兰贝特;
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申请日2006-06-19
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人过晓东
地址德国慕尼黑
入库时间 2022-08-23 09:12:14

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-12-19

授权

授权
2007-03-14

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-01-17

公开

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