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【24h】

EUV露光が実用化へ前進SamsungがDRAM試作に乗り出す

机译:EUV曝光可用于实际用途三星着手开发DRAM原型

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摘要

液浸露光技術やダブル・パターニング技術rnの後継として,2010年代前半の実用化が期待rnされるEUV(extreme ultraviolet)露光技術のrn開発が,大きく動き始めた(図1)。韓国Samsung Electronics Co.,Ltd.が,EUV露光によrnるDRAMチップの試作を始めることを,2008年rn9月の「2008 International EUVL Symposiumrn(2008 EUVL Sympo.)」で明らかにした。
机译:作为浸没式曝光技术和双图案技术的继任者,EUV(极紫外)曝光技术的开发已开始显着发展(图1),EUV曝光技术有望在2010年代上半年投入实际使用。韩国三星电子有限公司宣布,将在“ 2008年国际EUVL专题讨论会(2008 EUVL Sympo。)”上通过EUV曝光开始试制DRAM芯片。

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    《日経マイクロデバイス》 |2008年第281期|86-88|共3页
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