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【24h】

20nm以降も微細化をリード

机译:领先的20 nm以上的小型化

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摘要

「非プレーナ型MOS FET時代も微細化で業界をリードする」。米Intel Corp. のLSI製造技術戦略を統括するPaolo A. Gargini氏は,「Moore の法則」を20nm以降も維持できると強い自信を見せる。45nm世代で高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜/メタル・ゲートを実用化するなど,抜きん出た技術力を持つIntel。その強さの源泉をGargini氏に聞いた。
机译:“即使在非平面MOS FET时代,我们也将在微型化方面引领业界。”负责英特尔公司LSI制造技术战略的Paolo A. Gargini非常有信心将“摩尔定律”保持在20 nm以上。英特尔具有出色的技术能力,包括在45nm一代中的高k栅极绝缘膜/金属栅极的实际应用。我们向加尔吉尼先生询问了这种力量的来历。

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