『CTF：Charge Trap Flash』

大下 淳一

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『CTF：Charge Trap Flash』

机译：『CTF：陷阱陷阱闪光』

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「CTF：Charge Trap Flash」と呼ぶ新構造のNAND型フラッシュ・メモリーが注目を集めている。既存の浮遊ゲート構造に置き換わるNAND型の新構造として，韓国Samsung Electronics Co.，Ltd.が実現したためである。32GビットのCTF構造のNAND型を2006年9月に開発した。CTFの導入によって，同社はNAND型の微細化を20nm世代まで持続し，容量を256Gビットまで高められるとする。

机译：一种称为“ CTF：电荷陷阱闪存”的NAND闪存新结构正在引起人们的关注。这是因为韩国三星电子有限公司已经实现了一种新的NAND型结构，该结构取代了现有的浮栅结构。 2006年9月开发了一种32 Gb CTF NAND结构。该公司表示，随着CTF的推出，它将能够将NAND型微型化持续到20nm一代，并将其容量增加到256G位。

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来源
《日経マイクロデバイス》 |2006年第257期|17|共1页
作者
大下淳一;
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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词

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