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【24h】

NAND型でシェア40%へ,Samsungを猛追

机译:NAND类型的市场份额为40%,其次是三星

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摘要

東芝が,好調のNAND型フラッシュ・メモリー事業でさらに攻めに出る。 2006年8月に「Fab4」の建投に着手し,続く「Fab5」の建設に2008年度 までに乗り出す。こうした積極投資によって,50%前後の市場シェアを誇る 韓国Samsung Electronics Co.,Ltd.にどこまで迫れるのか。半導体事業を指揮する東芝セミコンダクター社社長の室町正志氏に聞いた。
机译:东芝在活跃的NAND闪存业务上走得更远。 2006年8月,我们开始建造“ Fab4”,并在2008财年开始建造下一个“ Fab5”。通过这些积极的投资,韩国三星电子有限公司拥有约50%的市场份额,离它有多近我们请东芝半导体公司总裁Masashi Muromachi先生控制半导体业务。

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