...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Optical and quantum electronics >Numerical determination of concentration-dependent Auger recombination coefficient in n-InGaN alloys
【24h】

Numerical determination of concentration-dependent Auger recombination coefficient in n-InGaN alloys

机译：n-InGaN合金中浓度依赖的俄歇复合系数的数值确定

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Direct and phonon-assisted mechanisms of Auger recombination in bulk n-In_xGa_(1-x)N wurtzite alloys are numerically investigated. The matrix elements of electron-electron and electron-phonon interaction are calculated using the band structure and wave functions obtained by the empirical pseudopotential method. Phonon-assisted Auger process is analyzed by the spectral density functions approach. The dependences of Auger recombination coefficient on the energy band gap of n-In_xGa_(1-x)N alloys, temperature and carrier concentration are presented. The calculated Auger coefficients for alloys corresponding to the visible spectrum exhibit strong reduction at high carrier concentration.
机译：数值研究了体n-In_xGa_（1-x）N纤锌矿型合金中俄歇复合的直接和声子辅助机理。电子-电子和电子-声子相互作用的矩阵元素是使用能带结构和通过经验pseudo势方法获得的波函数来计算的。通过光谱密度函数法分析了声子辅助俄歇过程。提出了俄歇复合系数对n-In_xGa_（1-x）N合金能带隙，温度和载流子浓度的依赖性。计算出的对应于可见光谱的合金俄歇系数在高载流子浓度下表现出强烈的降低。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号