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Modeling of polarization effects in InGaN PIN solar cells

机译:InGaN PIN太阳能电池中的极化效应建模

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摘要

In this paper, we study the effect of polarization on the performance of InGaN solar cells. By using the APSYS software, we show that the performance of common device designs is adversely affected by the interface charges between the contact layers and absorber. An improved design based on graded layers in the [0001 ] or N-face growth direction is shown to be almost immune to these effects.
机译:在本文中,我们研究了极化对InGaN太阳能电池性能的影响。通过使用APSYS软件,我们证明了普通器件设计的性能受到接触层和吸收层之间的界面电荷的不利影响。基于[0001]或N面生长方向上的渐变层的改进设计显示几乎不受这些影响。

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