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Design considerations for guardring-free planar InGaAs/InP avalanche photodiode

机译：免保护平面InGaAs / InP雪崩光电二极管的设计注意事项

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摘要

Design and characteristics of the guardring-free planar InGaAs/InP avalanche photodiode are considered based on 2D numerical simulation. The device incorporates n-charge sheet and p-charge sheet, which spatially separates multiplication layer and p~+-region. Simulation results of 2D electric field and impact ionization rate profile, current-voltage, capacitance-voltage and bandwidth-gain characteristics are discussed.
机译：基于二维数值模拟，考虑了无保护的平面InGaAs / InP雪崩光电二极管的设计和特性。该器件结合了n电荷片和p电荷片，它们在空间上分隔了乘法层和p〜+区域。讨论了二维电场和碰撞电离速率分布，电流-电压，电容-电压和带宽增益特性的仿真结果。

著录项

  • 来源
    《Optical and quantum electronics》 |2008年第15期|1247-1253|共7页
  • 作者

    Yury Vasileuski; Sergei Malyshev; Alexander Chizh;

  • 作者单位

    Stepanov Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, Logoiski trakt 22,220090 Minsk, Republic of Belarus;

    Stepanov Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, Logoiski trakt 22,220090 Minsk, Republic of Belarus;

    Stepanov Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, Logoiski trakt 22,220090 Minsk, Republic of Belarus;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    avalanche photodiode; edge breakdown; 2D numerical simulation;

    机译：雪崩光电二极管边缘击穿二维数值模拟;

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