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Structural, optical and electrical behavior of zinc oxide/MWCNT composite thin films

机译：氧化锌/ MWCNT复合薄膜的结构，光电性能

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摘要

ZnO/MWCNT composite thin films were prepared on glass substrates by spray pyrolysis, and their structural and optical behavior were investigated. X-ray diffraction analysis revealed the films hexagonal wurtzite phase with a preferred (002) growth orientation. Photoluminescence spectra of the ZnO film showed two main bands, a UV emission band at 377nm (3.28eV) and a broad blue-yellow band at 439-546nm with a band at 503nm. Optical transmittance of 80-85% in the visible range was observed in all the films. In the I-V curves, conductivity was improved when incorporating the MWCNT into the zinc oxide. ZnO/MWCNT, at a value of 2V and irradiated with visible light presented an increased current from 0.6 to 3.2 nA, and a similar pattern was observed when impinging UV light. Film thickness was measured by profilometry, obtaining thicknesses in the range from 143 to 257nm.
机译：通过喷雾热解法在玻璃基板上制备了ZnO / MWCNT复合薄膜，并对其结构和光学性能进行了研究。 X-射线衍射分析显示具有优选的（002）生长取向的六方纤锌矿相薄膜。 ZnO薄膜的光致发光光谱显示出两个主要谱带，一个是377nm（3.28eV）的紫外线发射带，另一个是在439-546nm的蓝黄色带，以及一个在503nm的带。在所有膜中均观察到在可见光范围内的透光率为80-85％。在IV曲线中，当将MWCNT结合到氧化锌中时，电导率提高。 ZnO / MWCNT的值为2V，用可见光照射时，电流从0.6nA增加到3.2nA，并且在撞击UV光时观察到类似的图案。通过轮廓测定法测量膜厚度，获得的厚度为143至257nm。

著录项

  • 来源
    《Optical and quantum electronics》 |2019年第7期|220.1-220.11|共11页
  • 作者

    Diaz-Corona N.; Martinez-Juarez J.; Perez-Luna J. G.; Hernandez-de la Luz A. D.; Rabanal M. E.; Robles-Aguila M. J.;

  • 作者单位

    Benemerita Univ Autonoma Puebla, Ctr Invest Disposit Semicond, Inst Ciencias, Ave San Claudio & 14 Sur CU Edif IC-5, Puebla 72570, Pue, Mexico;

    Benemerita Univ Autonoma Puebla, Ctr Invest Disposit Semicond, Inst Ciencias, Ave San Claudio & 14 Sur CU Edif IC-5, Puebla 72570, Pue, Mexico;

    Benemerita Univ Autonoma Puebla, Ctr Invest Disposit Semicond, Inst Ciencias, Ave San Claudio & 14 Sur CU Edif IC-5, Puebla 72570, Pue, Mexico;

    Benemerita Univ Autonoma Puebla, Ctr Invest Disposit Semicond, Inst Ciencias, Ave San Claudio & 14 Sur CU Edif IC-5, Puebla 72570, Pue, Mexico;

    Univ Carlos III Madrid, Dept Ciencia & Ingn Mat & Ingn Quim, Ave Univ 30, Madrid 28911, Spain|IAAB, Ave Univ 30, Madrid 28911, Spain;

    Benemerita Univ Autonoma Puebla, Ctr Invest Disposit Semicond, Inst Ciencias, Ave San Claudio & 14 Sur CU Edif IC-5, Puebla 72570, Pue, Mexico;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    Electrical properties; Composite; Thin films; Zinc oxide; Semiconductor;

    机译：电气性质;复合材料;薄膜;氧化锌;半导体;

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