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【24h】

What limits the efficiency of GaN-based superluminescent light-emitting diodes (SLEDs)?

机译：哪些因素限制了GaN基超发光发光二极管（SLED）的效率？

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Gallium-nitride-based SLEDs are attractive light sources for augmented reality displays and other applications. However, the electrical-to-optical power conversion efficiency (PCE) of SLEDs is still far below the record-high values reported for LEDs. Utilizing advanced numerical device simulation, this paper investigates the internal physical processes that cause the low PCE of SLEDs. The poor hole conductivity strongly reduces the electrical efficiency, similar to laser diodes. However, in contrast to laser diodes, the rising carrier density in the active layers is identified as main reason for enhanced Auger recombination that severely limits the internal quantum efficiency. Design improvement options are demonstrated.
机译：基于氮化镓的SLED是增强现实显示器和其他应用的有吸引力的光源。但是，SLED的电光功率转换效率（PCE）仍然远远低于LED的记录高值。利用先进的数值设备仿真，本文研究了导致SLED低PCE的内部物理过程。类似于激光二极管，较差的空穴电导率会大大降低电效率。然而，与激光二极管相比，有源层中载流子密度的上升被认为是增强俄歇复合的主要原因，这严重限制了内部量子效率。演示了设计改进选项。

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