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机译:使用液晶掩模制作多层抗蚀剂图案
Wroclawskie Centrum Badan EIT+, 147 Stablowicka Street, 54-066 Wroclaw, Poland;
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SUSS MicroTec Lithography GmbH, SchleiBheimer Street 90, 85748 Garching, Germany;
Wroclawskie Centrum Badan EIT+, 147 Stablowicka Street, 54-066 Wroclaw, Poland;
liquid crystal; lithography mask; multilevel pattern; photoresist contrast;
机译:使用具有a-Si掩模的近场光刻技术制造半间距32 nm抗蚀剂图案
机译:使用近场掩模光刻技术和超薄抗蚀剂工艺制造亚100 nm图案
机译:通过共形多级相位掩模的干扰快速,大规模地制造全色木桩光子晶体
机译:使用薄ZEP 7000抗蚀剂,GHOST和干法刻蚀的150 nm掩模制造工艺,用于MEBES 5000图形生成器
机译:向列型液晶中的人造微观结构,是通过图案化的光对准和受控限制而产生的:仪器,制造和表征。
机译:微模式液晶聚合物相掩模制备的光驱动液晶圆形达曼光栅
机译:由微图案液晶聚合物相位掩模制造的光驱动液晶圆形达仑光栅
机译:通过湿法和干法蚀刻铬掩模进行图案转移制备锂铌酸盐中的光子晶体。